[实用新型]半导体工艺设备及其工艺腔室

权利要求书

1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备中，其特征在于，包括腔室本体、承载装置及匀流组件；

所述腔室本体的顶部设置有进气结构，用于向所述腔室本体内输入气体，所述腔室本体的底壁贯穿多个抽气口，用于与抽气管路连接，以排出所述腔室本体内的气体；

所述承载装置包括承载座及支撑柱，所述承载座通过所述支撑柱设置于所述腔室本体内，所述承载座用于承载待加工件；

所述匀流组件设置于所述承载座和所述抽气口之间，所述匀流组件包括匀流板，所述匀流板居中设置于所述腔室本体内；所述匀流板的周缘与所述腔室本体内壁之间形成匀流口，所述匀流板与所述腔室本体的底壁之间形成匀流腔，所述匀流口用于对所述气体匀流后导入所述匀流腔内，再经由多个所述抽气口排出。

2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述匀流组件还包括有盖板，所述盖板设置于所述抽气口和所述匀流板之间，所述盖板罩设于多个所述抽气口外周，所述盖板上贯穿有排气口，所述排气口套设于所述支撑柱外周，并且与所述支撑柱同心设置，所述排气口和所述支撑柱之间形成通气孔，用于连通所述匀流腔及多个所述抽气口。

3.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述匀流口及所述通气孔的通气面积均大于或等于多个所述抽气口的通气面积之和。

4.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述匀流板包括两个半环形板，两个所述半环形板对称设置于所述支撑柱两侧。

5.如权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，两个所述半环形板的内缘均设置有环形凸台，所述环形凸台沿所述支撑柱的延伸方向延伸设置，所述环形凸台用于与所述支撑柱通过紧固件连接。

6.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述盖板的周缘设置有凸缘，所述凸缘朝向所述腔室本体的底壁设置，所述凸缘用于盖合于多个所述抽气口的外周，并且所述盖板通过多个紧固件压紧于所述腔室本体的底壁上。

7.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述抽气口为两个，两个所述抽气口相对所述支撑柱中心对称；

所述盖板为长圆形结构，所述通气孔位于所述盖板的中心，两个所述抽气口沿轴向的投影位于所述盖板长度方向的两端，且相对所述通气孔中心对称。

8.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体的底壁上开设有容置槽，多个所述抽气口均位于所述容置槽内，所述匀流板位于所述容置槽内，并且所述匀流板的周缘与所述容置槽的内壁之间形成所述匀流口。

9.如权利要求1至8的任一所述的工艺腔室，其特征在于，所述匀流组件为抗腐蚀性的金属材质制成。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括抽气管路和如权利要求1至9的任一所述的工艺腔室，所述抽气管路和所述抽气口连通。