[实用新型]半导体工艺设备及其工艺腔室

说明书

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：腔室本体、承载装置及匀流组件；腔室本体的顶部设置有进气结构，腔室本体的底壁贯穿多个抽气口，用于与抽气管路连接，以排出腔室本体内的气体；承载装置包括承载座及支撑柱，承载座通过支撑柱设置于腔室本体内，承载座用于承载待加工件；匀流组件设置于承载座和抽气口之间，匀流组件包括匀流板，匀流板居中设置于腔室本体内；匀流板的周缘与腔室本体内壁之间形成匀流口，匀流板与腔室本体的底壁之间形成匀流腔，匀流口用于对气体匀流后导入匀流腔内，再经由多个抽气口排出。本申请实施例实现了腔室本体内气流均匀的流过待加工件表面，从而提高待加工件的工艺均匀性。

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备及其工艺腔室。

背景技术

目前，在IC(集成电路)制造工艺中，半导体工艺设备可以用于去除晶圆在金属刻蚀后表面参与的光刻胶以及含氯的反应副产物。去胶工艺中需要将工艺时产生的挥发性副产物通过干泵抽走，因此工艺腔室底部通常会有数个较大的抽气口。但是由于晶圆表面靠近抽气口的位置气流速度较快，而远离抽气口的位置气流速度较慢，导致整个晶圆去胶不均匀，从而影响后续工艺良率。

实用新型内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备及其工艺腔室，用以解决现有技术存的由于抽气不均匀导致晶圆去胶不均匀的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备中，包括：腔室本体、承载装置及匀流组件；所述腔室本体的顶部设置有进气结构，用于向所述腔室本体内输入气体，所述腔室本体的底壁贯穿多个抽气口，用于与抽气管路连接，以排出所述腔室本体内的气体；所述承载装置包括承载座及支撑柱，所述承载座通过所述支撑柱设置于所述腔室本体内，所述承载座用于承载待加工件；所述匀流组件设置于所述承载座和所述抽气口之间，所述匀流组件包括匀流板，所述匀流板居中设置于所述腔室本体内；所述匀流板的周缘与所述腔室本体内壁之间形成匀流口，所述匀流板与所述腔室本体的底壁之间形成匀流腔，所述匀流口用于对所述气体匀流后导入所述匀流腔内，再经由多个所述抽气口排出。

于本申请的一实施例中，所述匀流组件还包括有盖板，所述盖板设置于所述抽气口和所述匀流板之间，所述盖板罩设于多个所述抽气口外周，所述盖板上贯穿有排气口，所述排气口套设于所述支撑柱外周，并且与所述支撑柱同心设置，所述排气口和所述支撑柱之间形成通气孔，用于连通所述匀流腔及多个所述抽气口。

于本申请的一实施例中，所述匀流口及所述通气孔的通气面积均大于或等于多个所述抽气口的通气面积之和。

于本申请的一实施例中，所述匀流板包括两个半环形板，两个所述半环形板对称设置于所述支撑柱两侧。

于本申请的一实施例中，两个所述半环形板的内缘均设置有环形凸台，所述环形凸台沿所述支撑柱的延伸方向延伸设置，所述环形凸台用于与所述支撑柱通过紧固件连接。

于本申请的一实施例中，所述盖板的周缘设置有凸缘，所述凸缘朝向所述腔室本体的底壁设置，所述凸缘用于盖合于多个所述抽气口的外周，并且所述盖板通过多个紧固件压紧于所述腔室本体的底壁上。

于本申请的一实施例中，所述抽气口为两个，两个所述抽气口相对所述支撑柱中心对称；所述盖板为长圆形结构，所述通气孔位于所述盖板的中心，两个所述抽气口沿轴向的投影位于所述盖板长度方向的两端，且相对所述通气孔中心对称。

于本申请的一实施例中，所述腔室本体的底壁上开设有容置槽，多个所述抽气口均位于所述容置槽内，所述匀流板位于所述容置槽内，并且所述匀流板的周缘与所述容置槽的内壁之间形成所述匀流口。

于本申请的一实施例中，所述匀流组件为抗腐蚀性的金属材质制成。

第二个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括抽气管路和如第一个方面提供的工艺腔室，所述抽气管路和所述抽气口连通。