[实用新型]电感耦合等离子体镀膜组件

说明书

一种电感耦合等离子体镀膜组件，用于为至少一待镀膜基材镀膜，其包括至少一装置主体、一基于电感耦合的等离子体发生单元、以及一介质板，其中所述装置主体具有一反应腔室，所述等离子体发生单元被设置于所述装置主体的外侧壁以在所述反应腔室内产生一等离子体区，所述介质板被固定设置于所述等离子体发生单元与所述反应腔室之间以区隔所述等离子体发生单元和所述等离子体区。

技术领域

本实用新型涉及一种电感耦合等离子体镀膜装置，特别涉及一种应用于化学气相沉积系统中的电感耦合等离子体镀膜装置及其镀膜组件。

背景技术

近年来，镀膜技术的快速发展，尤其是气相沉积技术日臻成熟，使利用表面镀膜技术提高电子产品的性能成为一种技术热点。表面镀膜技术可赋予电子产品，诸如高的抗摔次数，优异的防刮耐磨性、良好的散热性、防水性、耐水下通电性以及耐腐性等性能。等离子体化学气相沉积技术是目前常用的镀膜技术，在电场作用下产生等离子体，借助等离子体使含有膜层组成原子的气态物质发生化学反应，在产品表面沉积防护膜层。

伴随这种镀膜技术的产生和快速发展，等离子体反应装置随之成为一种重要的加工设备，广泛应用于薄膜沉积、刻蚀以及表面处理等工艺。等离子体反应装置因感应耦合元件不同分为容性耦合等离子体装置和感性耦合等离子体装置两种。目前容性耦合等离子体装置采用平板型容性耦合元件，驱动频率为 13.56MHz，向反应室提供激发电场使反应气体产生电离形成等离子体。这种等离子体反应装置因容性耦合元件限制，产生的等离子体密度较低，约在10⁹/cm³量级，同时，由于容性耦合等离子体电位较高(＞20V)，基片表面容易受到活性离子的轰击，因此，材料加工与表面改性质量难以得到保证。

电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)是一种低温高密度等离子体源，通过电感线圈进行射频放电。电感耦合等离子体镀膜装置的耦合元件采用电感耦合线圈，在射频电源驱动下向反应室提供激发磁场使反应气体产生电离形成等离子体。ICP的等离子体与电感线圈间存在“静电耦合”效应，易导致等离子体中高能离子对线圈和放电装置的溅射，破坏ICP放电的均匀性和稳定性，降低等离子体密度。

发明内容

本实用新型的一个优势在于提供一种电感耦合等离子体镀膜装置及其镀膜组件，所述电感耦合等离子体镀膜装置能够产生更高的等离子体密度，其所形成的等离子体密度高于常规的电感耦合等离子体，从而提高对待镀膜产品的镀膜效果。

本实用新型的一个优势在于提供一种电感耦合等离子体镀膜装置及其镀膜组件，所述电感耦合等离子体镀膜装置产生的等离子体相对于现有技术中的电感耦合等离子体而言具有更好的均匀性，从而提高对待镀膜产品的镀膜效果。

本实用新型的一个优势在于提供一种电感耦合等离子体镀膜装置及其镀膜组件，所述电感耦合等离子体镀膜装置产生的等离子体的电位较低，因此能量离子对待镀膜产品表面的轰击损伤也会相应减小，从而提高对待镀膜产品的表面保护。

本实用新型的一个优势在于提供一种电感耦合等离子体镀膜装置及其镀膜组件，所述电感耦合等离子体镀膜装置的沉积速率快，而且形成的膜层的厚度均匀性好，因此不仅能够提高所述电感耦合等离子体镀膜装置的工作效率，而且还能确保所述电感耦合等离子体镀膜装置对待镀膜产品的镀膜效果。

本实用新型的一个优势在于提供一种电感耦合等离子体镀膜装置及其镀膜组件，所述电感耦合等离子体镀膜装置能够对待镀膜产品的表面改性充分，并且在功率耦合效率高的基础上，具有低能耗的特征。

本实用新型的一个优势在于提供一种电感耦合等离子体镀膜装置及其镀膜组件，所述电感耦合等离子体镀膜装置通过提高放电的等离子体密度和均匀性，从而获得稳定均匀的高密度等离子体源，进而改善所述电感耦合等离子体镀膜装置的工作稳定性。