[实用新型]功率模块封装结构有效
申请号: | 202120331554.5 | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN214797417U | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 马伟力 | 申请(专利权)人: | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/04;H01L23/492 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 陈琦;陈继亮 |
地址: | 314006 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 模块 封装 结构 | ||
1.功率模块封装结构,包括注塑外壳及封装在注塑外壳内的功率模块主体,其特征在于:所述注塑外壳顶部的中间位置上沿长度方向开设有供功率模块主体的功率端子穿过的矩形孔,注塑外壳对应于矩形孔的位置上设置有向上凸起的凸块,且所述凸块上横向设置有至少两条相对于该凸块向内凹陷的外凹槽,所述注塑外壳的一侧设置有供功率模块主体的信号端子穿过的安装孔,另一侧设置有螺母抽屉凹槽并通过该螺母抽屉凹槽可拆卸设置有盖合在所述矩形孔上的注塑螺母抽屉,所述注塑螺母抽屉的形状与所述凸块和外凹槽的形状匹配,且所述注塑螺母抽屉对应于功率端子的安装位置上设置有螺母安装孔。
2.根据权利要求1所述的功率模块封装结构,其特征在于:所述功率模块主体主要包括散热基板及设置在该散热基板上的电路模块,所述电路模块主要包括电路连接的绝缘陶瓷基板、IGBT芯片、二极管芯片、功率端子及信号端子,所述陶瓷基板固定设置在散热基板上,所述IGBT芯片和二极管芯片固定设置在所述绝缘陶瓷基板上,且所述IGBT芯片、二极管芯片和绝缘陶瓷基板之间通过铝线相互连接,所述功率端子及信号端子的底部与绝缘陶瓷基板固定连接,功率端子及信号端子的顶部分别穿过注塑外壳上穿设的矩形孔和安装孔并向注塑外壳的外侧延伸。
3.根据权利要求2所述的功率模块封装结构,其特征在于:所述功率端子为门字型结构,且所述功率端子的底部设置有两个向外分开的端子脚。
4.根据权利要求2或3所述的功率模块封装结构,其特征在于:所述信号端子的底部设置有U型缓冲边。
5.根据权利要求4所述的功率模块封装结构,其特征在于:所述IGBT芯片及二极管芯片通过回流焊接到所述绝缘陶瓷基板上,所述功率端子的底部及所述信号端子的底部分别通过回流焊接到绝缘陶瓷基板上。
6.根据权利要求4所述的功率模块封装结构,其特征在于:所述电路模块内设置有5块绝缘陶瓷基板,且每块绝缘陶瓷基板均包括Al2O3或AlN陶瓷层材料制成的中间层及设置在中间层上下两侧的无氧铜层,所述绝缘陶瓷基板通过回流焊接到所述散热基板上。
7.根据权利要求4所述的功率模块封装结构,其特征在于:所述注塑外壳通过环氧密封胶与所述散热基板的外侧部分粘结在一起,所述功率模块主体与注塑外壳的相对空间内灌装有硅凝胶。
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