[实用新型]双面水冷式功率模块

权利要求书

1.双面水冷式功率模块，包括功率模块本体，其特征在于：所述功率模块本体主要包括相对设置的第一绝缘基板、第二绝缘基板及设置在两绝缘基板间的电路模块，所述第一绝缘基板和第二绝缘基板均为双面覆铜陶瓷绝缘基板，包括由绝缘材料制成的中间层及分别设置在中间层上下两侧的上铜层和下铜层，所述上铜层为带沟槽的平面铜层，所述下铜层为便于对功率模块本体进行水冷的针翅结构，所述电路模块设置在两相对设置的绝缘基板的上铜层内，且所述电路模块与两绝缘基板之间的空隙通过环氧塑封体以实现电气隔离。

2.根据权利要求1所述的双面水冷式功率模块，其特征在于：所述电路模块主要包括芯片、导电连接块、金属导线、功率端子和控制端子，所述芯片的背面焊接在第一绝缘基板的上铜层上，芯片的正面与导电连接块焊接，该导电连接块背离芯片的一侧焊接在第二绝缘基板的上铜层上；所述金属导线连接在芯片及第一绝缘基板或第二绝缘基板的上铜层上以实现控制电气连接。

3.根据权利要求2所述的双面水冷式功率模块，其特征在于：所述第一绝缘基板和第二绝缘基板的上铜层外表面为裸铜或电镀有焊接金属层，上铜层表面用于焊接或铝线键合作为导电铜层；第一绝缘基板和第二绝缘基板的下铜层外表面覆有镍或铬或两者的合金材料制成的保护层，以直接浸没在冷却液中用于散热；所述中间层的绝缘材料为氧化铝或氮化硅。

4.根据权利要求3所述的双面水冷式功率模块，其特征在于：所述芯片为IGBT芯片或SiC芯片，芯片表面电镀有金、银材料之一或其合金材料；所述芯片采用双面焊接或银浆烧结的方式实现电气连接，所述的芯片的背面通过锡焊焊接于第一绝缘基板上，芯片的正面通过锡焊与导电连接块焊接。

5.根据权利要求3所述的双面水冷式功率模块，其特征在于：所述功率端子与控制端子在成品切筋前为完整的引线框架，表面电镀有金、银材料之一或其合金材料，且所述功率端子与控制端子均通过锡焊焊接方式连接于第一绝缘基板的上铜层上。

6.根据权利要求3所述的双面水冷式功率模块，其特征在于：所述金属导线采用纯铝、纯铜、纯金材料之一或其合金材料，金属导线的外形为线状或带状结构，且所述金属导线通过超声波方式被键合连接于芯片和对应的绝缘基板上；所述导电连接块的材质为AlSiC、AlC、Cu或Cu-Mo，表面镀有镍、金、银材料之一或其合金材料。