[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

盖；

过滤孔，延伸穿过所述盖，所述过滤孔具有尺寸；

腔；以及

主体，被耦接至所述盖，以在所述主体与所述盖之间界定所述腔，所述主体包括：

半导体本体；以及

所述半导体本体与所述盖之间的耦接结构；以及

过滤通道，将所述腔和所述过滤孔流体耦接，所述过滤通道由所述耦接结构横向界定，所述过滤通道具有第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述过滤通道具有从所述第一侧壁延伸至所述第二侧壁的尺寸，该尺寸小于所述过滤孔的所述尺寸；

第一开口，由所述通道界定，所述第一开口与所述过滤孔流体连通；以及

第二开口，由所述通道界定，所述第二开口与所述腔的一部分流体连通并且从所述第一开口横向交错。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述过滤通道具有第一截面面积，所述第一截面面积小于所述过滤孔的第二截面面积。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口中的至少一个具有第三截面面积，所述第三截面面积小于所述过滤孔的所述第二截面面积。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述通道在横向于所述过滤孔的方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体本体由面向所述盖的表面界定，并且其中所述过滤通道在与所述表面平行的方向上延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述主体还包括覆盖所述半导体本体的电介质区域，并且其中所述过滤通道由所述电介质区域界定。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述盖包括初级本体以及突起区域，所述初级本体覆盖所述主体，所述突起区域从所述初级本体开始朝向所述主体延伸，其中所述过滤孔横穿所述初级本体和所述突起区域，并且其中所述突起区域被键合到所述耦接结构中的第一耦接结构和第二耦接结构，以将所述过滤通道面向所述盖的一部分闭合。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述过滤通道至少包括：

中心部分，与所述过滤孔对准并且朝向所述盖开放，所述中心部分与所述过滤孔流体连通；

中间部分，相对于所述过滤孔横向交错并且由所述突起区域覆盖；以及

外围部分，相对于所述突起区域横向交错并且朝向所述盖开放，所述外围部分与所述腔连通，所述中间部分介于所述中心部分与所述外围部分之间。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括介于所述突起区域与所述耦接结构之间的至少一个共晶合金的接合区域，所述至少一个接合区域与所述突起区域和所述耦接结构直接接触，所述至少一个接合区域相对于所述过滤通道横向交错。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述突起区域接触所述耦接结构，并且其中所述至少一个接合区域延伸到所述突起区域中以及延伸到所述耦接结构中。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耦接结构包括多个耦接区域；并且其中所述过滤通道由所述耦接区域横向界定。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耦接结构由金属材料制成。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述盖由半导体或玻璃材料制成。