[实用新型]一种同质结薄膜气体传感器

权利要求书

1.一种同质结薄膜气体传感器，其特征在于：包括从下至上依次设置的基板（1）、pn同质结氧化锌薄膜、电极层（4）、气敏层（5），所述pn同质结氧化锌薄膜包括n型半导体薄膜（2）以及形成在n型半导体薄膜（2）顶部的p型半导体薄膜（3）。

2.根据权利要求1所述的同质结薄膜气体传感器，其特征在于：所述基板（1）采用FTO或ITO。

3.根据权利要求1所述的同质结薄膜气体传感器，其特征在于：所述n型半导体薄膜（2）采用直接涂覆或溅射法形成在基板（1）上。

4.根据权利要求1所述的同质结薄膜气体传感器，其特征在于：所述p型半导体薄膜（3）采用熔融盐处理法对n型半导体薄膜（2）上表层处理形成。

5.根据权利要求4所述的同质结薄膜气体传感器，其特征在于：所述熔融盐处理法采用NaNO₃、KNO₃、NaCO₃中一种或几种熔融盐混合进行处理；所述在n型半导体薄膜（2）上表层中掺杂有Na、K、Li、Rb、Mn、Cu、Ag中任一种或几种的组合。

6.根据权利要求1所述的同质结薄膜气体传感器，其特征在于：所述n型半导体薄膜（2）和p型半导体薄膜（3）厚度不同。

7.根据权利要求1所述的同质结薄膜气体传感器，其特征在于：所述n型半导体薄膜（2）和p型半导体薄膜（3）厚度相同。

8.根据权利要求1所述的同质结薄膜气体传感器，其特征在于：所述电极层（4）、采用直接涂覆或溅射法形成在pn同质结氧化锌薄膜上，所述气敏层（5）采用直接涂覆或溅射法形成在电极层（4）上。

9.根据权利要求1所述的同质结薄膜气体传感器，其特征在于：所述气敏层（5）的材质采用碳纳米管、二氧化钛、石墨烯及其衍生物、磷酸银中任一种或几种的组合。

10.根据权利要求1所述的同质结薄膜气体传感器，其特征在于：所述气敏层（5）设有防污保护层或防划伤硬度层。