[实用新型]一种硅片清洗设备

说明书

本实用新型公开了一种硅片清洗设备，包括清洗箱，所述清洗箱内部设有承托网，所述承托网上放置有硅片本体，所述承托网上下两侧分布设有喷淋管，所述清洗箱外部一侧设有清洗液桶和新鲜水桶，所述清洗液桶右侧下端通过清洗液管连接喷淋泵入口，所述喷淋泵出口连接设有加热装置，所述加热装置内部设有蛇形盘绕的加热管，所述加热管外部绕设有电热丝，所述加热装置出口连接两侧喷淋管；所述清洗箱上侧一端设有抽风机，所述抽风机通过风管连接冷却管，所述冷却管外部设有冷却套管。优点在于：通过加热装置对清洗液有效的加热有利于清洗掉硅片表面的光刻胶，设有冷却管路有利于回收高温蒸发的清洗液，通过设置的新鲜水桶有利于对硅片本体进行水洗。

技术领域

本实用新型涉及光伏硅片技术领域，具体是指一种硅片清洗设备。

背景技术

伴随集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小，因此，清洗工艺所带来的材料损失也变得越来越重要。在最先进的工艺中，每一次清洗所允许的材料损失已近达到了一个非常非常微小的数量，这对于清洗工艺而言是一个相当大的挑战。在这其中，由于大剂量的离子注入工艺，会在光刻胶表面形成一个脱氢、非晶的碳层，因此对于经过大剂量离子注入后的光刻胶层的剥离，更是一个严峻的考验。

常用的光刻胶残余清洗剂为双氧水和浓硫酸的混合液(piranha)。双氧水和浓硫酸混合后，将会产生H2SO5(也称为Caro酸)，然后再进一步生成OH和HSO4原子团，这些原子团能与光刻胶产生反应，生成一氧化碳和二氧化碳等反应产物。随着药液温度的升高，原子团的产生速度也将越来越快。最新的研究结果表明，在200℃的高温下，使用双氧水和浓硫酸混合液 (piranha)，可以有效去除经过1E15/cm2离子注入后的光刻胶。这样就可以直接使用湿法清洗来去除光刻胶，从而省却氧等离子体灰化工艺，减少了材料损失和工艺复杂度。但是，长期将药液保持在200℃对清洗设备而言存在着很大的困难，同时这也存在药液蒸发和分解的问题。如果可以对设备和清洗工艺进行改进，使药液在设备内部流转时处于相对较低的温度，而仅仅在和硅片接触时才达到高温，将会非常有效地提高清洗工艺的效果。因此，亟待研究一种硅片清洗设备来解决上述提出的问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题就是克服以上的技术缺陷，提供一种结构简单，实用性强，使用效果好的一种硅片清洗设备。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的技术方案为：一种硅片清洗设备，包括清洗箱，所述清洗箱内部设有承托网，所述承托网上放置有硅片本体，所述承托网上下两侧分布设有喷淋管，所述清洗箱外部一侧设有清洗液桶和新鲜水桶，所述清洗液桶右侧下端通过清洗液管连接喷淋泵入口，所述喷淋泵出口连接设有加热装置，所述加热装置内部设有蛇形盘绕的加热管，所述加热管外部绕设有电热丝，所述加热装置出口连接两侧喷淋管；所述清洗箱上侧一端设有抽风机，所述抽风机通过风管连接冷却管，所述冷却管外部设有冷却套管，所述冷却套管下端连接设有回收桶，所述冷却管于冷却套管下方一侧连接设有放空管。

进一步的，所述清洗箱一侧外壁铰接设有箱门，所述清洗箱底部设有斜坡。

进一步的，所述斜坡低点一端通过回收管分别连接至清洗液桶和新鲜水桶。

进一步的，所述新鲜水桶出口端通过水管连接至喷淋泵入口。

进一步的，贯穿所述承托网两侧分别螺纹连接设有驱动螺杆，两侧所述驱动螺杆相对于清洗箱转动连接，所述清洗箱顶部设有驱动装置，所述驱动装置通过驱动螺杆使承托网上下运动。

进一步的，所述喷淋管上均匀分布设有雾化喷头。

本实用新型与现有技术相比的优点在于：本实用新型硅片清洗设备通过加热装置对清洗液有效的加热有利于清洗掉硅片表面的光刻胶，设有冷却管路有利于回收高温蒸发的清洗液，通过设置的新鲜水桶有利于对硅片本体进行水洗，并且对管路进行置换防止清洗液对管路内部腐蚀。

附图说明

图1是本实用新型一种硅片清洗设备的结构示意图。