[实用新型]一种功率模块倒装芯片垂直堆叠结构有效
| 申请号： | 202120681743.5 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN214336714U | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 朱文辉;孙国辽;汪炼成;彭程 | 申请（专利权）人： | 中南大学;长沙安牧泉智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18 |
| 代理公司： | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人： | 丛诗洋 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 模块 倒装 芯片 垂直 堆叠 结构 | ||
1.一种功率模块倒装芯片垂直堆叠结构，其特征在于，包括：
二极管芯片，所述二极管芯片阴极朝上、阳极朝下；
IGBT芯片，所述IGBT芯片设于所述二极管芯片下方，所述IGBT芯片下端设有连接层；
铜片，所述铜片设于所述二极管芯片与所述IGBT芯片之间，并通过铜片上下两端设置的第一纳米银烧结层与第二纳米银烧结层分别与所述二极管芯片的下端面、所述IGBT芯片的上端面联结；
Spacer层，所述Spacer层上下两端分别设有焊料层和第三纳米银烧结层，所述Spacer层通过所述第三纳米银烧结层与所述二极管芯片上端面联结；
DBC基板，所述DBC基板相对设置设有两个并分别与焊料层、连接层的外端面联接；
接线端子，所述接线端子分别与所述DBC基板及铜片联接并穿出设置的塑封。
2.根据权利要求1所述的功率模块倒装芯片垂直堆叠结构，其特征在于：所述DBC基板为DBC陶瓷基板。
3.根据权利要求2所述的功率模块倒装芯片垂直堆叠结构，其特征在于：所述DBC基板包括中间层及设于中间层上下两边的铜片，所述中间层为Al2O3或AlN。
4.根据权利要求1所述的功率模块倒装芯片垂直堆叠结构，其特征在于：所述Spacer层为Cu、Mo、CuMo、AlSiC或AlSiMg。
5.根据权利要求1所述的功率模块倒装芯片垂直堆叠结构，其特征在于：所述连接层为锡焊球或铜柱。
6.根据权利要求1所述的功率模块倒装芯片垂直堆叠结构，其特征在于：所述接线端子包括第一接线端子、第二接线端子、第三接线端子和第四接线端子，所述第一接线端子与联接所述焊料层的DBC基板联接，所述第二接线端子联接所述铜片，所述第三接端子和第四接线端子与联接所述连接层的DBC基板联接。
7.根据权利要求6所述的功率模块倒装芯片垂直堆叠结构，其特征在于：所述第一接线端子、第二接线端子及第三接线端子穿出塑封位于同一侧，所述第四接线端子相对第三接线端子设置在另一侧。
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