[实用新型]一种半导体器件测试装置

说明书

本实用新型公开了一种半导体器件测试装置，包括具有镂空部的安装基板；架设在所述安装基板上方位置的且与所述镂空部对应的测试机构；以及输送机构；所述输送机构包括：位于安装基板上的加热组件；用以带动所述加热组件在安装基板上横向移动的运动机构；以及用以驱动所述加热组件升降的顶升机构；所述加热组件被配置为承载产品，所述加热组件包括有与产品底部接触的可对产品进行预热的接触部；在顶升机构的驱动下，所述加热组件上升以使产品与所述测试机构接触并进行测试。本实用新型的目的在于提供一种半导体器件测试装置，可有效增加产品预热时间，提高测试精度，且方便对加热组件的更换。

技术领域

本实用新型涉及半导体测试技术领域。更具体地，涉及一种半导体器件测试装置。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，又称绝缘栅双极型晶体管，是一种半导体功率器件。在IGBT的生产过程中，通常需要利用测试装置对IGBT的高温性能进行测试。在现有技术中，通常是将IGBT放入恒温箱内进行升温，当IGBT达到测试温度时，再将IGBT从恒温箱中取出并放到测试装置上进行检测。但是，此种检测方法，不仅操作工序复杂，而且在IGBT的取放以及检测过程中会存在热量的流失，导致IGBT的温度降低，影响测试精度。现有技术提供有一种形式的测试装置，该测试装置是利用人工或机械手把产品放到产品载板上，执行装置再把载板输送到加热组件上方位置，加热组件在顶升机构的作用下上升对接产品并对产品进行加热，随后顶升机构继续上升推动加热组件与产品一并与测试机构的探针接触进行测试，此种方式的缺陷在于会出现产品预热时间不够，影响测试效果。

因此，亟需一种新型的半导体器件测试装置以解决上述技术问题。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种半导体器件测试装置，可有效增加产品预热时间，提高测试精度，且方便对加热组件的更换。

为实现上述发明目的，本实用新型采用如下技术方案：

本实用新型提供一种半导体器件测试装置，包括：

具有镂空部的安装基板；

架设在所述安装基板上方位置的且与所述镂空部对应的测试机构；以及

输送机构；

所述输送机构包括：

位于安装基板上的加热组件；

用以带动所述加热组件在安装基板上横向移动的运动机构；以及

用以驱动所述加热组件升降的顶升机构；

所述加热组件被配置为承载产品，所述加热组件包括有与产品底部接触的可对产品进行预热的接触部；在顶升机构的驱动下，所述加热组件上升以使产品与所述测试机构接触并进行测试。

此外，优选地方案是，所述运动机构包括平台板，以及位于平台板上的与所述加热组件形成相对固定的托板，所述平台板可移动地配置在所述安装基板上；所述托板可相对于平台板升降；

所述顶升机构位于所述安装基板下方位置且与所述镂空部对应；

所述平台板上包括有第一镂空孔，所述顶升机构的驱动端可穿过安装基板的镂空部以及第一镂空孔驱动所述加热组件上升。

此外，优选地方案是，所述托板上包括有与第一镂空孔对应配置的第二镂空孔，所述加热组件包括有与所述运动机构形成相对固定的固定部；所述固定部位于所述平台板上第一镂空孔边缘与所述托板上第二镂空孔边缘之间；

所述加热组件的接触部由所述第二镂空孔暴露出。

此外，优选地方案是，所述第一镂空孔以及第二镂空孔分别贯穿所述平台板的以及托板的同一侧的边沿；