[实用新型]一种高质量氮化铝晶体生长装置

权利要求书

1.一种高质量氮化铝晶体生长装置，其特征在于：包括坩埚体(1)、氮气输入室(2)、坩埚籽晶室(11)和加热器(12)，所述坩埚体(1)上阵列布置有多个坩埚籽晶室(11)，坩埚体(1)与坩埚籽晶室(11)内部连通，坩埚体(1)底部为原料放置区(3)，坩埚体(1)与坩埚籽晶室(11)的连接处设置有氮气输入室(2)，氮气输入室(2)上加工有进气口(9)，坩埚体(1)与坩埚籽晶室(11)的外侧布置有加热器(12)，坩埚籽晶室(11)上安装有籽晶(7)，坩埚籽晶室(11)底部为气体混合室(10)，气体混合室(10)分别与氮气输入室(2)和原料放置区(3)连通。

2.根据权利要求1所述的一种高质量氮化铝晶体生长装置，其特征在于：所述加热器(12)包括下部加热器(4)、中部加热器(5)和顶部加热器(8)，下部加热器(4)环绕布置在坩埚体(1)外侧，中部加热器(5)布置在下部加热器(4)上方，顶部加热器(8)设置在坩埚籽晶室(11)上方。

3.根据权利要求2所述的一种高质量氮化铝晶体生长装置，其特征在于：所述多个坩埚籽晶室(11)圆周阵列在坩埚体(1)的上方。

4.根据权利要求3所述的一种高质量氮化铝晶体生长装置，其特征在于：所述坩埚籽晶室(11)内加工有导流台(6)，籽晶(7)与导流台(6)连接。

5.根据权利要求4所述的一种高质量氮化铝晶体生长装置，其特征在于：所述籽晶(7)通过粘接的方式与导流台(6)连接。

6.根据权利要求1或5所述的一种高质量氮化铝晶体生长装置，其特征在于：所述氮气输入室(2)上加工有导流板(13)。