[实用新型]能效张弛振荡器

说明书

本专利涉及一种能效张弛振荡器，通过调节高、低阈值电压(VA、VB)，从而调节比较器I1的阈值电压，从而实现振荡器频率的可编程。并且通过基准电压VREFP和VREFN分别对电容C1的下极板和电容C2的上极板充电，调节M2，M3的过驱动电压，由于该电路的功耗与g_m/I_d成反比，其值越高，功耗越低，因此通过调节基准电压VREFP和VREFN的值来降低该振荡器电路的整体功耗，提高该振荡器电路的能效。本专利进一步提高能效使用率、降低功耗。

技术领域

本专利涉及电子设备技术领域，特别是一种进一步提高能效使用率、降低功耗的能效张弛振荡器。

背景技术

21世纪是一个全新的信息时代，信息技术产业的发展在很大程度上改变了世界，改变了人们的生活。例如无线传感器节点等低功耗系统已经被广泛应用在便携式可穿戴设备、生物医疗等领域。并且在这些领域的应用中，要求硬件系统维持较长的工作时间，即硬件系统需要有较低的功耗。无线传感器通常在工作一段时间之后，会进入空闲模式，而时钟源是空闲模式下唯一工作的电路，起到“唤醒”功能。在低功耗应用中，通常采用张弛振荡器来作为时钟源，唤醒其他处于休眠状态下的电路模块。因而高精度、低功耗的张弛振荡器设计一直是国内外学者们的研究重点。

需要一种进一步提高能效使用率、降低功耗的能效张弛振荡器。

发明内容

本专利的目的是提供一种进一步提高能效使用率、降低功耗的能效张弛振荡器。

一种能效张弛振荡器，包括：

振荡器，所述振荡器分别设置高阈值电压接口VA、低阈值电压接口VB、第一基准电压接口VREFP、第二基准电压接口VREFN、输出信号接口VO；

所述第一基准电压接口VREFP连接晶体管M1的源极，所述晶体管M1的栅极连接V2接口，所述晶体管M1的漏极一路连接到电容C1，一路连接到晶体管M2的源极，所述M2的栅极一路连接V1接口，一路连接M3的栅极，M3的源极一路连接电容C2，一路连接晶体管M4的漏极，所述电容C2接地，所述晶体管M4的栅极连接V2接口，所述晶体管M4的源极连接第二基准电压接口VREFN，所述M2的漏极和M3的漏极连接后，一路连接电容C3，一路连接比较器I1的INP接口，所述电容C3接地，所述比较器I1的INN接口一路连接传输门I4的OUT接口，一路连接传输门I5的OUT接口，所述比较器I1的接口V1一路连接反相器I2，一路连接V1接口，所述反相器I2一路连接反相器I3，一路连接V2接口，所述反相器I3连接输出信号接口VO；

所述传输门I4的IN接口连接高阈值电压接口VA，传输门I4的VP接口连接输出信号接口VO，传输门I4的VN接口连接V2接口，所述传输门I5的IN接口连接低阈值电压接口VB，传输门I5的VN接口连接输出信号接口VO，传输门I5的VP接口连接V2接口。

所述传输门I5和传输门I4的结构相同，分别为传输门TG。

所述传输门TG的VN接口连接晶体管M5的栅极，所述晶体管M5的源极连接晶体管M6的源极后，连接OUT接口，所述晶体管M5的漏极连接晶体管M6的漏极后，连接IN接口，所述晶体管M6的栅极连接VP接口。

所述电容C1的一端接线。

所述比较器I1、反相器I2、反相器I3的方向朝向输出信号接口VO。

所述晶体管M5为PMOS晶体管，所述晶体管M6为NMOS晶体管。

所述第一基准电压接口VREFP和第二基准电压接口VREFN的电压可调节。