[实用新型]一种高压开关电源反馈环路和高压开关电源

权利要求书

1.一种高压开关电源反馈环路，其特征在于，包括：可编程基准、相位补偿电路、光电耦合器U3、电位器VR1、第七电阻R7、第八电阻R8和第十电阻R10；所述光电耦合器U3的集电极和发射极分别连接开关电源第一反馈端FB1和开关电源第二反馈端FB2，光电耦合器U3的阳极连接第十电阻R10的一端及开关电源第一整流输出信号端S1，光电耦合器U3的阴极连接第十电阻R10的另一端和相位补偿电路的一端1、可编程基准的阴极端K，可编程基准的阳极端A连接电位器VR1的一个固定端及开关电源输出地GND，电位器VR1的滑动端连接电位器VR1的另一个固定端和第八电阻R8的一端，第八电阻R8的另一端连接相位补偿电路的另一端2、可编程基准的外部输入参考端REF和第七电阻R7的一端，第七电阻R7的另一端连接开关电源第二整流输出信号端S2。

2.如权利要求1所述的高压开关电源反馈环路，其特征在于，所述可编程基准包括晶体管Q1、运算放大器U1、内部基准源；所述晶体管Q1的集电极或漏极连接所述可编程基准的阴极端K，所述晶体管Q1的发射极或源极连接所述运算放大器U1的接地端、所述内部基准源的接地端、内部信号地F和所述可编程基准的阳极端A，所述晶体管Q1的基极或栅极连接所述运算放大器U1的输出端，所述运算放大器U1的电源端连接内部基准源的输入端和辅助电源端VCC，运算放大器U1的同相输入端连接所述可编程基准的外部输入参考端REF，所述运算放大器U1的反向输入端连接所述内部基准源的输出端；所述晶体管Q1的集电极或漏极在所述可编程基准的单元电路内部开路。

3.如权利要求2所述的高压开关电源反馈环路，其特征在于，所述晶体管Q1包括双极三极管、结型场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。

4.如权利要求2所述的高压开关电源反馈环路，其特征在于，所述运算放大器U1包括轨到轨运算放大器和非轨到轨运算放大器。

5.如权利要求2所述的高压开关电源反馈环路，其特征在于，所述内部基准源包括可编程基准集成电路U2和第六电阻R6；所述第六电阻R6的一端连接所述内部基准源的输入端，所述第六电阻R6的另一端连接可编程基准集成电路U2的阴极端和参考端及所述内部基准源的输出端，可编程基准集成电路U2的阳极端连接所述内部基准源的接地端。

6.如权利要求2所述的高压开关电源反馈环路，其特征在于，所述可编程基准还包括滤波电路和分压电路，所述滤波电路包括第四电容C4和第五电阻R5，分压电路包括第三电阻R3和第四电阻R4；所述第四电容C4的一端连接第四电阻R4的一端和运算放大器U1的接地端、内部基准源的接地端，第四电容C4的另一端连接运算放大器U1的反向输入端和第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端连接第三电阻R3的一端和第四电阻R4的另一端，第三电阻R3的另一端连接所述内部基准源的输出端。

7.如权利要求2所述的高压开关电源反馈环路，其特征在于，所述可编程基准还包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3；所述第一电阻R1的两端分别连接运算放大器U1的输出端和晶体管Q1的基极或栅极，第二电容C2的两端分别连接所述可编程基准的阳极端A和晶体管Q1的基极或栅极，所述第一电容C1的两端分别连接运算放大器U1的电源端和接地端，第二电阻R2的两端分别连接在所述可编程基准的阳极端A和晶体管Q1的发射极或源极之间，第三电容C3的一端连接所述内部基准源的输出端，第三电容C3的另一端连接所述内部基准源的接地端。

8.如权利要求1所述的高压开关电源反馈环路，其特征在于，所述相位补偿电路包括第五电容C5、第六电容C6和第十一电阻R11；所述第五电容C5的一端连接第六电容C6的一端及所述相位补偿电路的一端1，所述第六电容C6的另一端连接第十一电阻R11的一端，第五电容C5的另一端连接第十一电阻R11的另一端及所述相位补偿电路的另一端2。