[实用新型]一种精密电子工程用使用寿命长的单晶硅片有效

专利信息
申请号: 202120790282.5 申请日: 2021-04-19
公开(公告)号: CN215551483U 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 杜国佳 申请(专利权)人: 上海铂览智能科技有限公司
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;B32B9/04;B32B15/20;B32B15/14;B32B17/02;B32B33/00;C30B29/06;H01L23/29
代理公司: 上海助之鑫知识产权代理有限公司 31328 代理人: 王风平
地址: 201713 上海市青浦区朱*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 精密 电子 工程 使用寿命 单晶硅
【说明书】:

实用新型公开了一种精密电子工程用使用寿命长的单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体包括基底层,且基底层的外侧设置有第二防护层,同时,第二防护层包括纳米银涂层和氯磺化聚乙烯涂层,所述第二防护层的外侧设置有第一防护层,且第一防护层包括玻璃纤维层和铝箔层。本实用新型设置了包括玻璃纤维层和铝箔层的第一防护层,其中的玻璃纤维层可有效提高本硅片整体的耐高温性,铝箔层可提高本硅片整体的屏蔽性,设置了包括纳米银涂层和氯磺化聚乙烯涂层第二防护层,其中的纳米银涂层可提高本硅片整体的防辐射性,氯磺化聚乙烯涂层可提高本硅片整体的耐腐蚀性,通过以上结构的配合,有效提高了本硅片整体的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅片技术领域,具体为一种精密电子工程用使用寿命长的单晶硅片。

背景技术

单晶硅片是硅的单晶体,是一种具有基本完整的点阵结构的晶体,不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料,纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上,用于制造半导体器件、太阳能电池等,但现有的单晶硅片其耐腐蚀和耐高温等性能较差,从而降低了其使用寿命,为此,我们提出一种精密电子工程用使用寿命长的单晶硅片。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种精密电子工程用使用寿命长的单晶硅片,具备使用寿命长的优点,解决了现有的单晶硅片其耐腐蚀和耐高温等性能较差,从而降低了其使用寿命的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种精密电子工程用使用寿命长的单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体包括基底层,且基底层的外侧设置有第二防护层,同时,第二防护层包括纳米银涂层和氯磺化聚乙烯涂层,所述第二防护层的外侧设置有第一防护层,且第一防护层包括玻璃纤维层和铝箔层。

优选的,所述氯磺化聚乙烯涂层涂设于基底层的外侧,且纳米银涂层涂设于氯磺化聚乙烯涂层的外侧。

优选的,所述纳米银涂层和氯磺化聚乙烯涂层的厚度相同,且纳米银涂层的厚度为一百到两百微米。

优选的,所述铝箔层通过PP胶水连接于纳米银涂层的外侧,且玻璃纤维层通过PP胶水连接于铝箔层的外侧。

优选的,所述玻璃纤维层和铝箔层的厚度相同,且玻璃纤维层的厚度为一百八十到三百五十微米。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

本实用新型设置了包括玻璃纤维层和铝箔层的第一防护层,其中的玻璃纤维层可有效提高本硅片整体的耐高温性,铝箔层可提高本硅片整体的屏蔽性,设置了包括纳米银涂层和氯磺化聚乙烯涂层第二防护层,其中的纳米银涂层可提高本硅片整体的防辐射性,氯磺化聚乙烯涂层可提高本硅片整体的耐腐蚀性,通过以上结构的配合,有效提高了本硅片整体的使用寿命。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定,在附图中:

图1为本实用新型结构示意图;

图2为本实用新型第二防护层结构示意图;

图3为本实用新型第一防护层结构示意图。

图中:1单晶硅片本体、11基底层、12第二防护层、121纳米银涂层、122氯磺化聚乙烯涂层、13第一防护层、131玻璃纤维层、132铝箔层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

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