[实用新型]高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 202120908459.7 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN214705936U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡政原 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 结构 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：
漏极半导体层，所述漏极半导体层包括漏极主干层和多个间隔并列布置的漏极延伸层，且多个所述漏极延伸层分别与所述漏极主干层连通；
源极半导体层，所述源极半导体层包括源极主干层和多个间隔并列布置的源极延伸层，且多个所述源极延伸层分别与所述源极主干层连通，所述漏极半导体层的漏极延伸层的延伸侧与所述源极半导体层的源极延伸层的延伸侧相对布置；以及
多个栅极半导体层，所述栅极半导体层位于相邻的两个源极延伸层之间，且所述栅极半导体层环绕布置于所述漏极延伸层的外周。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：
所述栅极半导体层和所述漏极延伸层间隔第一距离，所述栅极半导体层和所述源极延伸层间隔第二距离。
3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：
所述栅极半导体层设置有一开口，所述开口的两端分别与所述漏极延伸层贴合，且所述漏极延伸层通过所述开口向所述栅极半导体层内侧延伸。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：
所述栅极半导体层呈闭合环状，且所述栅极半导体层连续环绕于所述漏极延伸层。
5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：
所述闭合环状为四边形环状。
6.如权利要求1～5任意一项所述的高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：
每两个相邻的所述源极延伸层与所述源极主干层呈π形体状，一个所述栅极半导体层容纳于一个所述π形体内。
7.如权利要求1～5任意一项所述的高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：
所述漏极延伸层与所述漏极主干层垂直布置。
8.如权利要求1～5任意一项所述的高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：
所述源极延伸层与所述源极主干层垂直布置。
9.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：
基底、第一磊晶层、第二磊晶层以及如权利要求1～8任意一项所述的高电子迁移率晶体管结构，所述基底、所述第一磊晶层、所述第二磊晶层以及所述高电子迁移率晶体管结构从下到上依次布置。
10.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：
基底、第一外延层、第二外延层以及如权利要求1～8任意一项所述的高电子迁移率晶体管结构，所述基底、所述第一外延层、所述第二外延层以及所述高电子迁移率晶体管结构从下到上依次布置。
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