[实用新型]高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管

说明书

一种高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管，包括漏极半导体层、源极半导体层以及多个栅极半导体层，其中，漏极半导体层包括漏极主干层和多个间隔并列布置的漏极延伸层；源极半导体层包括源极主干层和多个间隔并列布置的源极延伸层，漏极半导体层的漏极延伸层的延伸侧与源极半导体层的源极延伸层的延伸侧相对布置；通过将栅极半导体层设置于相邻的两个源极延伸层之间，且环绕布置于漏极延伸层的外周，使得高电子迁移率晶体管结构在不增加整体面积的情况下，增大了栅极‑源极的相对面积，即提高了有效传导静电的面积，提高了ESD防护能力，解决了传统的高电子迁移率晶体管中存在有效传导静电的面积较小且静电释放防护能力差的问题。

技术领域

本申请属于场效应管技术领域，尤其涉及一种高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管。

背景技术

目前，传统的高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistor，HEMT)的布图设计中，一般是栅极环绕源极，漏极环绕栅极的形式。但是对于有栅极-源极静电防护需求的产品来说，当高电子迁移率晶体管的面积固定时，该布图设计下的高电子迁移率晶体管的有效传导静电的面积较小，静电释放(Electro-Static discharge，ESD)防护能力差。

因此，传统的高电子迁移率晶体管中存在有效传导静电的面积较小且静电释放防护能力差的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管，旨在解决传统的高电子迁移率晶体管中存在有效传导静电的面积较小且静电释放防护能力差的问题。

本申请实施例的第一方面提了一种高电子迁移率晶体管结构，包括：

漏极半导体层，所述漏极半导体层包括漏极主干层和多个间隔并列布置的漏极延伸层，且多个所述漏极延伸层分别与所述漏极主干层连通；

源极半导体层，所述源极半导体层包括源极主干层和多个间隔并列布置的源极延伸层，且多个所述源极延伸层分别与所述源极主干层连通，所述漏极半导体层的漏极延伸层的延伸侧与所述源极半导体层的源极延伸层的延伸侧相对布置；以及

多个栅极半导体层，所述栅极半导体层位于相邻的两个源极延伸层之间，且所述栅极半导体层环绕布置于所述漏极延伸层的外周。

在一个实施例中，所述栅极半导体层和所述漏极延伸层间隔第一距离，所述栅极半导体层和所述源极延伸层间隔第二距离。

在一个实施例中，包括：所述栅极半导体层设置有一开口，所述开口的两端分别与所述漏极延伸层贴合，且所述漏极延伸层通过所述开口向所述栅极半导体层内侧延伸。

在一个实施例中，包括：所述栅极半导体层呈闭合环状，且所述栅极半导体层连续环绕于所述漏极延伸层。

在一个实施例中，包括：所述闭合环状为四边形环状。

在一个实施例中，包括：每两个相邻的所述源极延伸层与所述源极主干层呈π形体状，一个所述栅极半导体层容纳于一个所述π形体内。

在一个实施例中，包括：所述漏极延伸层与所述漏极主干层垂直布置。

在一个实施例中，包括：所述源极延伸层与所述源极主干层垂直布置。

本申请实施例的第二方面提了一种高电子迁移率晶体管，包括：

基底、第一磊晶层、第二磊晶层以及如本申请实施例的第一方面所述的高电子迁移率晶体管结构，所述基底、所述第一磊晶层、所述第二磊晶层以及所述高电子迁移率晶体管结构从下到上依次布置。

本申请实施例的第三方面提了一种高电子迁移率晶体管，包括：