[实用新型]一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件

权利要求书

1.一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，其特征在于包括：

背面金属层(1)；

第一导电类型半导体衬底(2)；所述第一导电类型半导体衬底(2)覆盖于背面金属层(1)之上；

第一导电类型半导体漂移区(3)；所述第一导电类型半导体漂移区(3)覆盖于第一导电类型半导体衬底(2)之上；

栅氧化层(4)；所述栅氧化层(4)覆盖于第一导电类型半导体漂移区(3)上部两侧的部分表面；

多晶硅栅极(5)；所述多晶硅栅极(5)覆盖于对应栅氧化层(4)之上；

第一导电类型半导体重掺杂区(8)；所述第一导电类型半导体重掺杂区(8)覆盖于第一导电类型半导体漂移区(3)之上的部分表面；

第二导电类型半导体体区(6)；所述第二导电类型半导体体区(6)覆盖于第一导电类型半导体漂移区(3)之上的部分表面，且第二导电类型半导体体区(6)位于第一导电类型半导体重掺杂区(8)两侧，该第一导电类型半导体重掺杂区(8)覆盖于第二导电类型半导体体区(6)之上的部分表面；

第一导电类型半导体重掺杂源区(7)；所述第一导电类型半导体重掺杂源区(7)覆盖于对应第二导电类型半导体体区(6)之上的部分表面；

正面金属层(9)；所述正面金属层(9)覆盖于栅氧化层(4)、多晶硅栅极(5)、第二导电类型半导体体区(6)、第一导电类型半导体重掺杂源区(7)和第一导电类型半导体重掺杂区(8)之上。

2.根据权利要求1所述的一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，其特征在于：所述栅氧化层(4)与多晶硅栅极(5)为槽栅结构。

3.根据权利要求1所述的一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，其特征在于：所述第二导电类型半导体体区(6)的结深应大于第一导电类型半导体重掺杂区(8)的结深。

4.根据权利要求1所述的一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，其特征在于：所述第一导电类型半导体重掺杂源区(7)与正面金属层(9)为欧姆接触。

5.根据权利要求1所述的一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，其特征在于：所述第一导电类型半导体重掺杂区(8)与正面金属层(9)为欧姆接触或肖特基接触。

6.根据权利要求1所述的一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，其特征在于：第二导电类型半导体体区(6)及多晶硅栅极(5)与第一导电类型半导体漂移区(3)在零电压时形成的耗尽层将第一导电类型半导体重掺杂区(8)完全包围。