[实用新型]一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件

说明书

本实用新型公开了一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，包括背面金属层，第一导电类型半导体衬底，第一导电类型半导体漂移区、栅氧化层、多晶硅栅极、第一导电类型半导体重掺杂区、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体重掺杂源区、正面金属层，本实用新型通过创造性设计栅氧化层、多晶硅栅极、第二导电类型半导体体区和第一导电类型半导体重掺杂源区结构布局，再通过设置第一导电类型半导体重掺杂区及布置，使得本实用新型可形成多道电流路径分布，且由于第一导电类型半导体重掺杂区，使得初始电流路径的导通电压更低，且稳定性高，从而大大降低了正向导通压降，提高了二极管正向过流能力，本实用新型工艺制备相对容易，实用性强。

技术领域

本实用新型涉及功率半导体器件技术领域，具体为一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件。

背景技术

整流器广泛应用于电子行业中，传统PN 接二极管导通压降大，反向恢复时间长，肖特基二极管正向压降小，然其反向漏电大；现有的超势垒整流器采用在阳极和阴极之间整合并联的整流二极管和MOS晶体管来形成较低的正向导通电压，然由于整体存在PN结，其导通电压仍然较大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，提供一道更低电压导通作用的整流器结构，以克服现有技术的不足。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，包括：

背面金属层；

第一导电类型半导体衬底；所述第一导电类型半导体衬底覆盖于背面金属层之上；

第一导电类型半导体漂移区；所述第一导电类型半导体漂移区覆盖于第一导电类型半导体衬底之上；

栅氧化层；所述栅氧化层覆盖于第一导电类型半导体漂移区上部两侧的部分表面；

多晶硅栅极；所述多晶硅栅极覆盖于对应栅氧化层之上；

第一导电类型半导体重掺杂区；所述第一导电类型半导体重掺杂区覆盖于第一导电类型半导体漂移区之上的部分表面；

第二导电类型半导体体区；所述第二导电类型半导体体区覆盖于第一导电类型半导体漂移区之上的部分表面，且第二导电类型半导体体区位于第一导电类型半导体重掺杂区两侧，该第一导电类型半导体重掺杂区覆盖于第二导电类型半导体体区之上的部分表面；

第一导电类型半导体重掺杂源区；所述第一导电类型半导体重掺杂源区覆盖于对应第二导电类型半导体体区之上的部分表面；

正面金属层；所述正面金属层覆盖于栅氧化层、多晶硅栅极、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体重掺杂源区和第一导电类型半导体重掺杂区之上。

作为本实用新型的进一步方案：所述栅氧化层与多晶硅栅极为槽栅结构。

作为本实用新型的进一步方案：所述第二导电类型半导体体区的结深应大于第一导电类型半导体重掺杂区的结深。

作为本实用新型的进一步方案：所述第一导电类型半导体重掺杂源区与正面金属层为欧姆接触。

作为本实用新型的进一步方案：所述第一导电类型半导体重掺杂区与正面金属层为欧姆接触或肖特基接触。

作为本实用新型的进一步方案：第二导电类型半导体体区及多晶硅栅极与第一导电类型半导体漂移区在零电压时形成的耗尽层将第一导电类型半导体重掺杂区完全包围。