[实用新型]一种新型晶片清洗流水线有效
申请号: | 202121393367.6 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN215527675U | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 唐志强;石小良 | 申请(专利权)人: | 绍兴奥美电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/673;B08B3/12;B08B3/04;B08B13/00 |
代理公司: | 浙江海贸律师事务所 33347 | 代理人: | 王伟光 |
地址: | 312500 浙江省绍兴市新昌县七星街道省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 晶片 清洗 流水线 | ||
1.一种新型晶片清洗流水线,其特征在于:所述的新型晶片清洗流水线包括晶片提篮上料输送机构、晶片超声波清洗机、晶片提篮下料输送机构和晶片烘烤箱,晶片依次排放设置于镀膜夹具上,晶片提篮上设置有多个用于排放镀膜夹具的工位腔,晶片提篮通过提篮框在所述的晶片提篮上料输送机构以及晶片提篮下料输送机构输送;
所述的晶片提篮上料输送机构的尾部与所述的晶片超声波清洗机的入口衔接,晶片超声波清洗机的出口与所述的晶片提篮下料输送机构衔接,晶片提篮上料输送机构上的提篮框通过设置于晶片提篮上料输送机构尾部的第一气缸顶升机构输送至所述的晶片超声波清洗机,晶片超声波清洗机上的提篮框通过设置于晶片提篮下料输送机构头部的第二气缸顶升机构输送至所述的晶片提篮下料输送机构中。
2.根据权利要求1所述的一种新型晶片清洗流水线,其特征在于:所述的第一气缸顶升机构和第二气缸顶升机构均包括气缸,气缸设置于正对提篮框的下方,通过气缸将提篮框顶升至晶片超声波清洗机中的内部循环清洗装置中的循环工位上,通过晶片超声波清洗机对提篮框中的晶片进行清洗,清洗完成后提篮框从晶片超声波清洗机的出料工位中被另一侧的第二气缸顶升机构顶住下放,通过晶片提篮下料输送机构输送。
3.根据权利要求2所述的一种新型晶片清洗流水线,其特征在于:所述的晶片清洗流水线还包括过渡输送机构,过渡输送机构设置于晶片提篮下料输送机构的尾部,晶片提篮下料输送机构上的提篮框通过抓取机构输送至过渡输送机构,过渡输送机构与烘烤箱配合设置。
4.根据权利要求3所述的一种新型晶片清洗流水线,其特征在于:所述的抓取机构包括横移驱动机构、升降驱动机构和抓取气缸,所述的横移驱动机构固定安装于机架上,横移驱动机构上设置有向上悬伸并设置有正对所述的提篮框的横移架,所述的升降驱动机构安装于横移架上,抓取气缸安装于升降驱动机构上,抓取气缸抓取提篮框后通过升降驱动机构抬升后,通过横移驱动机构横移完成设备之间的转运。
5.根据权利要求4所述的一种新型晶片清洗流水线,其特征在于:所述的晶片提篮上料输送机构、晶片提篮下料输送机构和晶片烘烤箱以及过渡输送机构上均设置有通过传动轮带动驱动的输送皮带回路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造