[实用新型]复合终端结构

权利要求书

1.一种复合终端结构，其特征在于，包括：

N+型半导体衬底；

N-型半导体漂移区，设于所述N+型半导体衬底的上表面，包括P型半导体场限环、P-型半导体VLD区和N+型半导体场限环，所述P型半导体场限环、P-型半导体VLD区和N+型半导体场限环分别自所述N-型半导体漂移区的上表面向内部延伸，所述P型半导体场限环的一侧面与所述N-型半导体漂移区的一侧面齐平，所述P-型半导体VLD区的一侧面与所述P型半导体场限环的部分另一侧面共面，所述P-型半导体VLD区与所述N+型半导体场限环之间有间隙，所述N+型半导体场限环的另一侧面与所述N-型半导体漂移区的另一侧面齐平，所述P型半导体场限环的宽度大于或等于所述N+型半导体场限环的宽度；所述P-型半导体VLD区中的掺杂离子的浓度小于所述P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度；

绝缘介质层，设于所述N-型半导体漂移区的上表面，分别与所述P型半导体场限环的部分上表面、所述P-型半导体VLD区的部分上表面和所述N+型半导体场限环的部分上表面接触，与所述P-型半导体VLD区的接触区设有一个或多个接触孔；

阳极，自所述P型半导体场限环的上表面向外延伸，覆盖所述绝缘介质层的一侧面和部分上表面；

一个或间隔的多个第一场板，自所述P-型半导体VLD区的上表面向外延伸，所述第一场板覆盖所述绝缘介质层的部分上表面并填充所述接触孔，最靠近所述阳极的第一场板与所述阳极之间有间隙；

金属场板，与所述阳极相对设置，自所述N+型半导体场限环的上表面向外延伸，覆盖所述绝缘介质层的另一侧面和部分上表面，与最靠近所述金属场板的第一场板之间有间隙；

阴极，设于所述N+型半导体衬底的底面。

2.根据权利要求1所述的复合终端结构，其特征在于，所述第一场板为金属场板或多晶硅场板。

3.根据权利要求1所述的复合终端结构，其特征在于，所述P-型半导体VLD区中的掺杂离子的浓度沿第一方向逐渐减小，所述第一方向为N+型半导体漂移区的宽度方向。

4.根据权利要求3所述的复合终端结构，其特征在于，所述P-型半导体VLD区由多个P-型子VLD区组成，相邻的P-型子VLD区的侧面共面，各个P-型子VLD区的深度沿所述第一方向逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的复合终端结构，其特征在于，所述P型半导体场限环的深度大于或等于所述N+型半导体场限环的深度。

6.根据权利要求1所述的复合终端结构，其特征在于，所述P型半导体场限环的宽度小于或等于P-型半导体VLD区的宽度。

7.根据权利要求1所述的复合终端结构，其特征在于，所述绝缘介质层包括氧化层，所述氧化层为二氧化硅层。

8.根据权利要求7所述的复合终端结构，其特征在于，所述绝缘介质层还包括钝化层，设于所述氧化层的上表面，所述钝化层为氮化硅层。

9.根据权利要求1所述的复合终端结构，其特征在于，所述复合终端结构还包括P-型半导体掺杂区，设于所述N+型半导体衬底与所述阴极之间。

10.根据权利要求9所述的复合终端结构，其特征在于，所述P-型半导体掺杂区中的掺杂离子、所述P型半导体场限环中的掺杂离子和所述P-型半导体VLD区中的掺杂离子相同，所述P-型半导体掺杂区中的掺杂离子的浓度小于所述P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度且大于所述P-型半导体VLD区中的掺杂离子的浓度。