[实用新型]一种炉盖发黑处理的单晶生长炉

权利要求书

1.一种炉盖发黑处理的单晶生长炉，其特征在于，包括单晶生长炉本体和安装在所述单晶生长炉本体顶部的炉盖，所述炉盖内具有水冷系统，且所述炉盖的内壁设置有用于吸收热辐射的炉盖吸热层。

2.根据权利要求1所述的一种炉盖发黑处理的单晶生长炉，其特征在于，所述炉盖吸热层为对所述炉盖的内壁进行发黑处理得到的金属氧化膜层。

3.根据权利要求1所述的一种炉盖发黑处理的单晶生长炉，其特征在于，所述单晶生长炉本体包括炉体、设置在所述炉体内的保温桶、设置在所述保温桶内的坩埚、设置在所述保温桶内且位于所述坩埚上方的水冷热屏和设置在所述保温桶内的加热器；

所述水冷热屏包括水冷热屏本体和两个左右对称设置的提升臂，且所述提升臂的底部与所述水冷热屏本体连接，所述提升臂的顶部穿出所述炉盖，所述水冷热屏本体内设有循环冷却水系统，所述提升臂内设有与所述循环冷却水系统连通的冷却水流道；

所述提升臂用于带动所述水冷热屏本体上升或下降。

4.根据权利要求3所述的一种炉盖发黑处理的单晶生长炉，其特征在于，所述水冷热屏本体的内壁设有热屏吸热层。

5.根据权利要求4所述的一种炉盖发黑处理的单晶生长炉，其特征在于，所述热屏吸热层为对所述水冷热屏本体的内壁进行发黑处理得到的金属氧化膜层。

6.根据权利要求3所述的一种炉盖发黑处理的单晶生长炉，其特征在于，所述炉体包括上炉筒和下炉筒，所述下炉筒具有炉体封底；所述保温桶由上至下依次包括上保温盖、上保温桶、主保温桶和下保温桶，所述下保温桶具有保温桶封底，所述炉体封底的顶部具有支撑组件，所述保温桶封底的底部与所述支撑组件连接；

所述坩埚设置在所述主保温桶内，所述水冷热屏本体设置在所述上保温桶内，杆托的顶端穿过所述炉体封底和所述保温桶封底后与所述坩埚的底部连接；

所述坩埚的侧壁与所述主保温桶之间具有埚帮；

所述加热器包括靠近所述坩埚侧壁的主加热器和靠近所述坩埚底部的底加热器。

7.根据权利要求3～6任一权利要求所述的一种炉盖发黑处理的单晶生长炉，其特征在于，所述坩埚为石英坩埚。