[实用新型]适用于室内发电的硅异质结光伏电池及光伏器件有效

申请号：	202121716040.8	申请日：	2021-07-27
公开（公告）号：	CN215815897U	公开（公告）日：	2022-02-11
发明（设计）人：	杨黎飞;张闻斌;李杏兵;杨青松	申请（专利权）人：	苏州光汇新能源科技有限公司
主分类号：	H01L31/0376	分类号：	H01L31/0376;H01L31/0352;H01L31/0725;H01L31/074
代理公司：	南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256	代理人：	赵世发
地址：	215000 江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	适用于室内发电硅异质结光伏电池器件
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【权利要求书】：

1.一种适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于包括单晶硅基底以及依次叠设在所述单晶硅基底第一面上的第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一导电薄膜层，以及，依次叠设在所述单晶硅基底第二面的第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二导电薄膜层；

所述第一导电薄膜层包括第一透明导电层以及设置在第一透明导电层上的第一电极，所述第一透明导电层叠设在第一掺杂非晶硅层上，所述第一透明导电层的第一垂直投影面的全部位于所述第一掺杂非晶硅层的第二垂直投影面内，且所述第一透明导电层的边缘与所述第一掺杂非晶硅层的边缘于预设方向上的距离在5mm以上，其中，所述预设方向与第一面所在平面方向平行，所述第一面和第二面背对设置。

2.根据权利要求1所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述第一透明导电层的边缘与所述第一掺杂非晶硅层的边缘于预设方向上的距离为5-20mm。

3.根据权利要求2所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述第一透明导电层的边缘与所述第一掺杂非晶硅层的边缘于预设方向上的距离为10-20mm。

4.根据权利要求1所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述第一垂直投影面和第二垂直投影面的面积之比为0.7-0.95。

5.根据权利要求1所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述第二导电薄膜层包括第二透明导电层以及设置在第二透明导电层上的第二电极，所述第一透明导电层和第二透明导电层的厚度均为70-90nm，且所述第一透明导电层和第二透明导电层的方块电阻均在100Ω以上。

6.根据权利要求5所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述第一透明导电层和第二透明导电层的方块电阻均为150-300Ω。

7.根据权利要求6所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述第一透明导电层和第二透明导电层的方块电阻均为200-300Ω。

8.根据权利要求6所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述第一透明导电层和第二透明导电层均为TCO导电薄膜。

9.根据权利要求1所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层的厚度均在10nm以上。

10.根据权利要求9所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层的厚度均为10-30nm。

11.根据权利要求10所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层的厚度均为15-30nm。

12.根据权利要求1所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述第一掺杂非晶硅层的厚度为5-30nm，所述第二掺杂非晶硅层的厚度为5-30nm，所述单晶硅基底的厚度为60-160um。

13.根据权利要求1或12所述适用于室内发电的硅异质结光伏电池，其特征在于：所述单晶硅基底的电阻率为10-100 Ω·cm。