[实用新型]功率模块及电子设备有效
| 申请号： | 202121723336.2 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN215644454U | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 廖雯祺 | 申请（专利权）人： | 上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/367;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 吕露 |
| 地址： | 200120 上海市中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 模块 电子设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率模块，其特征在于，包括：
金属板；
散热结构，所述金属板设于所述散热结构，所述金属板与所述散热结构一体成型；
芯片，所述芯片设于所述金属板上；以及
信号端子，所述信号端子设于所述金属板上。
2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述芯片焊接于所述金属板上。
3.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述信号端子包括端子底座和端子插针，所述端子底座焊接于所述金属板，所述端子插针插设于所述底座。
4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述信号端子为一体式结构。
5.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述信号端子垂直于所述金属板所在平面。
6.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述散热结构包括用于盛放冷却液的散热通道。
7.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述散热结构为陶瓷材料。
8.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述芯片包括IGBT和FRD组件、Diode、MOSFET中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述芯片还包括硅器件和/或宽禁带半导体器件。
10.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求1-9任一项所述的功率模块。
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