[实用新型]碳化硅晶圆化学机械抛光装置

说明书

本实用新型实施例提供了一种碳化硅晶圆化学机械抛光装置，涉及碳化硅晶圆抛光技术领域，在抛光头与晶圆保持器连接时，晶圆保持器能够在抛光头的带动下可活动地抵持于抛光垫，从而在晶圆保持器夹持有碳化硅晶圆的情况下，使得碳化硅晶圆不断地被抛光垫磨削而抛光，以实现对碳化硅晶圆的抛光。抛光一定时间后，可以使抛光头与晶圆保持器分离，移动装置与晶圆保持器连接，移动装置能够带动晶圆保持器远离抛光垫，从而使得被晶圆保持器所夹持的碳化硅晶圆远离抛光垫，然后利用清洗装置清洗碳化硅晶圆、晶圆保持器和抛光垫，在清洗完成后，使得对碳化硅晶圆继续进行抛光时，避免了杂质对碳化硅晶圆造成的损伤，进而保证最终成品的表面质量和外延品质。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶圆抛光装置和抛光机。

背景技术

碳化硅(SiC)作为最具代表性的第三代宽禁带半导体材料，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和迁移速度、低相对介电常数和耐高温与抗辐射能力等特点，被认为是用作高温和高频光电子器件的理想材料。同时SiC晶体因其与外延层材料GaN具有高匹配的晶格常数和热膨胀系数及良好的热导率，是GaN基器件的理想衬底材料。因此，SiC晶体材料已经成为半导体领域不可缺少的衬底材料。

碳化硅晶圆的表面加工质量和精度的优劣，直接影响外延薄膜的质量及其器件的性能，因此，通常需要抛光使碳化硅晶圆获得较高表面平整度。现有的碳化硅抛光方法主要有化学机械抛光，然而，经发明人研究发现，化学机械抛光过程中会由于机械磨削作用不断产生废物以及抛光液与碳化硅表面发生化学反应而不断产生副产物，从而导致碳化硅晶圆表面出现损伤，对抛光后碳化硅晶圆的表面质量和外延品质造成很大的影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种碳化硅晶圆抛光装置和抛光机，其能够去除化学机械抛光过程中产生的废物和副产物，保证碳化硅晶圆的表面质量和外延品质。

本实用新型的实施例是这样实现的：

一方面，本实用新型实施例提供了一种碳化硅晶圆化学机械抛光装置，包括：

抛光垫；

用于固定碳化硅晶圆的晶圆保持器；

相对于所述抛光垫可活动地设置的抛光头；

相对于所述抛光垫可移动地设置的移动装置和清洗装置；

其中，所述晶圆保持器被配置为可选择地与所述抛光头或所述移动装置连接；

在所述晶圆保持器与所述抛光头连接时，所述晶圆保持器被配置为在所述抛光头的带动下可活动地抵持于所述抛光垫，以对所述碳化硅晶圆抛光；

在所述晶圆保持器与所述移动装置连接时，所述晶圆保持器被配置为在所述移动装置的带动下远离所述抛光垫，以使所述碳化硅晶圆与所述抛光垫相间隔，所述清洗装置被配置为在所述晶圆保持器远离所述抛光垫时，清洗所述碳化硅晶圆、所述晶圆保持器和所述抛光垫。

另一方面，本实用新型实施例提供了一种碳化硅晶圆化学机械抛光装置，包括：

抛光垫；

用于固定碳化硅晶圆的晶圆保持器；

相对于所述抛光垫可活动地设置的抛光头；

相对于所述抛光垫可移动地设置的移动装置和清洗装置；

其中，所述晶圆保持器被配置为可选择地与所述抛光头或所述移动装置连接；

所述抛光头被配置为与所述晶圆保持器连接时，带动所述晶圆保持器可活动地抵持于所述抛光垫；