[实用新型]半导体MOS器件的封装结构

说明书

本实用新型公开一种半导体MOS器件的封装结构，其铜支撑框架上具有一镂空区，所述MOS芯片位于一导热陶瓷片的上表面；导热陶瓷片的下表面具有一凸起台，所述导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，所述铜支撑框架与MOS芯片相背的表面在镂空区两侧均设置有一条形铜凸部，一环氧封装体包覆于MOS芯片、铜支撑框架和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上，所述条形铜凸部，所述条形铜凸部、凸起台各自的下表面与环氧封装体的下表面齐平。本实用新型半导体MOS器件的封装结构有利于热量及时散热，改善了散热性能，从而延长了器件使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种MOS器件。

背景技术

MOS管是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好，因而通常在电源、驱动电路、开关电路等有广泛应用。随着市场的发展，对MOS的安全性和可靠性要求越来越高。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种半导体MOS器件的封装结构，该半导体MOS器件的封装结构有利于热量及时散热，改善了散热性能，从而延长了器件使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种半导体MOS器件的封装结构，包括：MOS芯片、铜支撑框架、栅极引脚、漏极引脚和源极引脚，位于所述MOS芯片上表面的栅极区、漏极区和源极区分别通过第一金属线、第二金属线和第三金属线电连接到栅极引脚、 漏极引脚和源极引脚各自的焊接端，所述铜支撑框架上具有一镂空区，所述MOS芯片位于一导热陶瓷片的上表面；

所述导热陶瓷片的下表面具有一凸起台，所述导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，所述铜支撑框架与MOS芯片相背的表面在镂空区两侧均设置有一条形铜凸部，一环氧封装体包覆于MOS芯片、铜支撑框架和栅极引脚、 漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上，所述条形铜凸部，所述条形铜凸部、凸起台各自的下表面与环氧封装体的下表面齐平。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述铜支撑框架的上部具有一从环氧封装体上端面延伸出的外延片区。

2. 上述方案中，所述第一金属线、第二金属线和第三金属线为铜金属线或者铝金属线。

3. 上述方案中，所述镂空区形状为方形或者圆形，所述凸起台形状为方形或者圆形。

4. 上述方案中，所述条形铜凸部与凸起台之间的间隙内填充有环氧封装体。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型半导体MOS器件的封装结构，其热陶瓷片的下表面具有一凸起台，导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，铜支撑框架与MOS芯片相背的表面在镂空区两侧均设置有一条形铜凸部，条形铜凸部，所述条形铜凸部、凸起台各自的下表面与环氧封装体的下表面齐平，有利于热量及时散热，改善了散热性能，从而延长了器件使用寿命。

附图说明

附图1为本实用新型半导体MOS器件的封装结构的结构示意图；

附图2为附图1中A-A剖面结构示意图；

附图3为附图1的后视结构示意图；

附图4为本实用新型半导体MOS器件的封装结构的内部结构示意图。

以上附图中：1、MOS芯片；101、栅极区；102、漏极区；103、源极区；2、铜支撑框架；3、栅极引脚；4、漏极引脚；5、源极引脚；61、第一金属线；62、第二金属线；63、第三金属线；7、间隙；8、导热陶瓷片；9、环氧封装体；10、支撑片区；11、外延片区；12、通孔；13、镂空区；14、凸起台；15、条形铜凸部。

具体实施方式