[实用新型]碳化硅晶体生长装置

权利要求书

1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：

坩埚；

籽晶夹持部，设置于所述坩埚的顶壁内侧，用于设置籽晶；

套管，设置于所述坩埚内，从所述籽晶夹持部的外周缘向所述坩埚的底壁延伸，其中，所述套管的内侧壁和所述籽晶夹持部共同围成用于生长碳化硅晶体的生长反应腔，所述套管被配置成在晶体生长过程中避免所述坩埚的自身杂质进入所述生长反应腔内。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述套管靠近所述坩埚的底壁的一端的外侧壁贴合于所述坩埚的内侧壁。

3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述套管的材料为金属碳化物。

4.根据权利要求3所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述金属碳化物为碳化钽和碳化铌中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述套管包括相连接的直管段和锥管段，所述锥管段背离所述直管段的一端围设于所述籽晶夹持部的外周缘，所述直管段的外侧壁贴合于所述坩埚的内侧壁，且被配置成朝向所述坩埚的底壁延伸，其中，沿所述坩埚的底壁至顶壁的方向，所述锥管段的口径逐渐减小；所述籽晶夹持部、所述锥管段的内侧壁和所述直管段的内侧壁共同围成所述生长反应腔。

6.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述碳化硅晶体生长装置还包括：

过滤隔层，被配置成在晶体生长过程中能够供气流通过，设置于所述坩埚内，位于所述坩埚的顶壁和底壁之间，所述过滤隔层与所述坩埚的顶壁之间设置有所述套管；所述过滤隔层和所述坩埚的底壁之间被配置成原料装盛腔。

7.根据权利要求6所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述过滤隔层朝向所述坩埚的顶壁的一侧设置有汇流腔，所述汇流腔与所述生长反应腔相连通，所述汇流腔的内侧面为出气面，所述过滤隔层朝向所述坩埚的底壁的一侧具有进气面，所述进气面与所述出气面呈夹角。

8.根据权利要求7所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述过滤隔层包括：

相层叠的第一过滤板和第二过滤板，所述第一过滤板相对于所述第二过滤板靠近所述坩埚的底壁，所述第一过滤板和所述坩埚的底壁之间被配置成所述原料装盛腔，所述第二过滤板和所述坩埚的顶壁之间设置有所述套管；且所述第一过滤板的孔隙率低于所述第二过滤板的孔隙率；

其中，所述第一过滤板设置有第一通孔，所述第二过滤板设置有与所述第一通孔相连通的第二通孔；

挡板，布设于所述第一通孔，所述挡板和所述第二通孔被配置成共同形成所述汇流腔，所述第一过滤板朝向所述坩埚的表面为所述进气面，所述第二通孔的内周面为所述出气面。

9.根据权利要求8所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述挡板的材料为碳化钽和碳化铌中的至少一种；和/或，

所述第一过滤板和所述第二过滤板均为多孔石墨板；和/或，

所述第一过滤板的孔隙率为30～40％；和/或，

所述第二过滤板的孔隙率为50～60％；和/或，

沿着所述坩埚的底壁至顶壁的方向，所述汇流腔的口径逐渐减小，所述进气面与所述出气面呈钝角。

10.根据权利要求6-8任一项所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述套管和所述过滤隔层之间设置有隔板，其中，所述隔板的材料为碳化钽和碳化铌中的至少一种。