[实用新型]一种射频离子源中和器的电极

说明书

本实用新型公开了一种射频离子源中和器的电极，所述电极为非闭环的杯状体，在杯状体的环上设置有两个以上缺口，在所述杯状体的环上，缺口设置有2N‑1个，其中，N为不含0和1的自然数；其中一个缺口开口中线与环口的开口中线为同一中线；剩余缺口中以环的中心线为对称轴，相对的两个缺口的开口中线为同一中线，解决现有技术的不足之处，将该电极应用到射频离子源中和器中，能够使得更多的射频能量进入陶瓷杯内，增加离化效率，又不是很大的减少电子发射的效率。

技术领域

本实用新型涉及等离子镀膜设备设备技术领域，具体地说，是一种射频离子源中和器的电极。

背景技术

在现有镀膜设备中，大多数薄膜结构都对牢固度及附着力有要求，如果不达标，将会导致薄膜脱落等现象。为了改善该问题必须进行高能的宽束离子源的辅助沉积，而离子源对于中和要求极其严格，若中和不好将会导致真空环境打火，离子斥力加强，而影响薄膜的基本及外观结构，传统的电子中和方式有热阴极中和器、空心阴极中和器、化合物中和器，但这几种在污染及使用成本方面也是有一定的弊端。因此射频离子源中和器及在这几方面有了很大的改善与性能提升。

现有射频离子源中和器主要由保持极、射频线圈、陶瓷杯、电极（亦称电子发射电极）、充气座、电极接头等所构成，但现有结构的电子发射电极为杯状体，且为单一缺口结构，由于采用单一缺口的结构，存在射频能量利用率低，从而导致离化效率低的不足之处。

实用新型内容

本实用新型的目的在于设计一种射频离子源中和器的电极，解决现有技术的不足之处，将该电极应用到射频离子源中和器中，能够使得更多的射频能量进入陶瓷杯内，增加离化效率，又不是很大的减少电子发射的效率。

本实用新型通过下述技术方案实现：一种射频离子源中和器的电极，所述电极为非闭环的杯状体，在杯状体的环上设置有两个以上缺口。

进一步的为更好地实现本实用新型，特别采用下述设置方式：在所述杯状体的环上，缺口设置有2N-1个，其中，N为不含0和1的自然数；其中一个缺口开口中线与环口的开口中线为同一中线；剩余缺口中以环的中心线为对称轴，相对的两个缺口的开口中线为同一中线。

进一步的为更好地实现本实用新型，特别采用下述设置方式：所述缺口的长度小于等于环口的长度。

进一步的为更好地实现本实用新型，特别采用下述设置方式：所述电极上通入负电场。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

本实用新型解决现有技术的不足之处，将该电极应用到射频离子源中和器中，能够使得更多的射频能量进入陶瓷杯内，增加离化效率，又不是很大的减少电子发射的效率。

采用本实用新型的射频离子源中和器，相较于传统的电子中和器，在材料挥发刻蚀方面会更小，且温度上升小，使用成本得到有效降低；

一般的灯丝使用时间几十个小时，空心阴极管一百多个小时，该实用新型所提出的电极可达到一年以上的使用时间。

附图说明

图1为采用本实用新型的射频离子源中和器结构示意图。

图2为本发明的结构示意图（上图为正视图，下图为上图的A-A向视图）。

其中，1-保持极、2-射频线圈、3-陶瓷杯、4-电极、5-充气座、6-电极接头、41-环口、42-缺口、43-环。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。