[实用新型]一种基于Pink托盘的IGBT底板固定结构有效
申请号: | 202122586366.X | 申请日: | 2021-10-26 |
公开(公告)号: | CN215955244U | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 张磊 | 申请(专利权)人: | 赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/68 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 燕宏伟 |
地址: | 314100 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 pink 托盘 igbt 底板 固定 结构 | ||
一种基于Pink托盘的IGBT底板固定结构,包括一个托盘,一个设置在所述托盘上且用于容置产品的容置槽,多个设置在所述容置槽内的限位夹具,以及两行间隔设置在所述容置槽内的定位部。每个所述限位夹具皆包括一个夹具主体,以及多个分别设置于所述夹具主体两侧边缘的限位凹槽。每行所述定位部皆包括多个间隔设置的定位柱。多个所述限位夹具的延伸方向重合,所述限位夹具设置于两行所述定位部之间,且每个所述限位凹槽皆与至少一个所述定位柱相互对应,以限制所述产品在所述托盘的位置。该基于Pink托盘的IGBT底板固定结构操作简单,安装方便,减少了人为操因素,提高了生产效率和质量。
技术领域
本实用新型属于绝缘栅双极型晶体管技术领域,特别是一种基于Pink托盘的IGBT底板固定结构。
背景技术
IGBT即为绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降。
目前的IGBT模块DBC与基板焊接或回流多采用德国Pink公司的VADU系列设备,这些设备需要使用专用的托盘来作为产品的载具,在设备内部运转或在多台设备之间运转,此托盘以下简称pink托盘。而标准的pink托盘只是一个单纯的托盘,没有任何其他结构来将底板固定在合适的位置。因此在使用时,一般采用手动将底板或者组装好的产品放入到pink托盘内人一位置或者整齐有序的并排放置,回流或焊接后,再将产品手动从pink托盘内拿出。而且pink托盘无固定底板或产品的结构,产品底部都有一个预制弓曲度,用设备自动放入pink托盘后在搬运或传送过程中很容易发生偏移,故只能手动将底板或产品放入pink托盘内,并且搬运或传送时,产品放置在pink托盘内容易晃动,产品的底部与托盘摩擦容易划伤底板底部;无法使用设备自动将底板或产品从pink托盘内取出;并且无法用设备自动将其他零部件贴装到底板上,降低了生产效率。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种可以提高了生产效率的基于Pink托盘的IGBT底板固定结构,以满足工业需求。
一种基于Pink托盘的IGBT底板固定结构,包括一个托盘,一个设置在所述托盘上且用于容置产品的容置槽,多个设置在所述容置槽内的限位夹具,以及两行间隔设置在所述容置槽内的定位部。每个所述限位夹具皆包括一个夹具主体,以及多个分别设置于所述夹具主体两侧边缘的限位凹槽。每行所述定位部皆包括多个间隔设置的定位柱。多个所述限位夹具的延伸方向重合,所述限位夹具设置于两行所述定位部之间,且每个所述限位凹槽皆与至少一个所述定位柱相互对应,以限制所述产品在所述托盘的位置。
进一步地,每个所述定位柱皆包括一个定位柱主体,以及一个设置在所述定位柱主体一端的螺纹连接头。
进一步地,所述定位柱主体直径大于所述螺纹连接头的直径。
进一步地,所述定位柱主体背向所述螺纹连接头一端设置倒角。
进一步地,任意两个相邻的所述定位柱之间的间距皆相等。
进一步地,两行所述定位部之间成中心对称。
进一步地,当所述产品容置于所述容置槽内,所述产品与所述限位凹槽之间为间隙配合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造