[实用新型]整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件有效
| 申请号： | 202122801221.7 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN216311779U | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;张子敏;王宇澄;虞国新 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/872 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 涂三民;曹祖良 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 整合 肖特基 二极管 沟槽 mos 功率 器件 | ||
1.一种整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件，它包括N-型硅衬底（1）、栅极氧化层（2）、屏蔽栅多晶硅（3）、栅极导电多晶硅（4）、P-型体区（5）、N+型源区（6）、第一正面金属（7）、掩蔽层（8）、势垒合金（9）、P-型柱（10）、第二正面金属（11）与背面金属（12）；
其特征是：在对应沟槽MOS功率器件一侧的N-型硅衬底（1）的正面开设有沟槽，在沟槽内设有栅极氧化层（2），在栅极氧化层（2）内设有屏蔽栅多晶硅（3）与栅极导电多晶硅（4），栅极导电多晶硅（4）位于屏蔽栅多晶硅（3）的上方，且栅极导电多晶硅（4）与屏蔽栅多晶硅（3）之间被栅极氧化层（2）隔开，在所述沟槽外侧以及相邻沟槽之间设有经离子注入与退火形成的P-型体区（5），在P-型体区（5）上方设有经离子注入与退火形成的N+型源区（6），在N+型源区（6）上方设有第一正面金属（7），第一正面金属（7）与所述P-型体区（5）导通；
在对应肖特基二极管一侧的N-型硅衬底（1）的正面设有呈间隔设置的掩蔽层（8），位于中部位置的相邻掩蔽层（8）之间的N-型硅衬底（1）的正面设有势垒合金（9），在对应势垒合金（9）的两侧的相邻掩蔽层（8）之间设有经离子注入与退火形成的P-型柱（10），在势垒合金（9）上设有第二正面金属（11）；
在N-型硅衬底（1）的背面设有背面金属（12）。
2.根据权利要求1所述的整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件，其特征是：所述栅极导电多晶硅（4）的宽度大于屏蔽栅多晶硅（3）的宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
