[实用新型]一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构

权利要求书

1.一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，包括陶瓷衬底层(1)，所述陶瓷衬底层(1)的顶部设置有覆盖层(2)，且覆盖层(2)上设置有绝缘层(3)，并且绝缘层(3)上铺设有薄膜层(4)；

其特征在于：还包括：

透气孔(5)，所述透气孔(5)贯通开设于陶瓷衬底层(1)的内部，且陶瓷衬底层(1)的底部固定有金属底片(6)；

支撑条(7)，所述支撑条(7)固定于绝缘层(3)的底部，且支撑条(7)位于支撑槽(8)内，并且支撑槽(8)开设于覆盖层(2)的顶部，而且支撑槽(8)的底部放置有承压垫(9)。

2.根据权利要求1所述的一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，其特征在于：所述覆盖层(2)和绝缘层(3)分别采用Bi-sb合金材料和二氧化锆材料。

3.根据权利要求1所述的一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，其特征在于：所述透气孔(5)等间距分布在陶瓷衬底层(1)内，且透气孔(5)的俯视截面呈蜿蜒状结构分布。

4.根据权利要求1所述的一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，其特征在于：所述金属底片(6)等间距分布在陶瓷衬底层(1)的底部，且金属底片(6)呈倒置的弧形结构设计。

5.根据权利要求1所述的一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，其特征在于：所述金属底片(6)的底部等角度设置有耐磨头(61)，且耐磨头(61)呈半球状结构设计。

6.根据权利要求1所述的一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，其特征在于：所述支撑条(7)等间距分布在绝缘层(3)的底部，且支撑条(7)的边侧与支撑槽(8)之间凹凸配合。

7.根据权利要求1所述的一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，其特征在于：所述承压垫(9)采用弧形结构的硅胶材料，且承压垫(9)的顶部与支撑条(7)底部弧面相贴合。