[实用新型]一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构

说明书

本实用新型公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，包括陶瓷衬底层，所述陶瓷衬底层的顶部设置有覆盖层，且覆盖层上设置有绝缘层，并且绝缘层上铺设有薄膜层；还包括：透气孔，所述透气孔贯通开设于陶瓷衬底层的内部，且陶瓷衬底层的底部固定有金属底片；支撑条，所述支撑条固定于绝缘层的底部，且支撑条位于支撑槽内，并且支撑槽开设于覆盖层的顶部，而且支撑槽的底部放置有承压垫。该用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，通过陶瓷衬底层底部的金属底片配合耐磨头，增加陶瓷衬底层的耐磨性能，避免与电机接触安装时发生磨损，并配合透气孔提高陶瓷衬底层的散热效果，同时通过支撑条和承压垫进行承压缓冲，提高整体抗压性能。

技术领域

本实用新型涉及InSb磁敏器件技术领域，具体为一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构。

背景技术

InSb磁敏器件是半导体技术中用于各种功能仪器的器件，在InSb磁敏器件的使用中，包括电极、导线和InSb薄膜组成，其中InSb薄膜的使用尤为重要，但是现有的InSb薄膜材料结构在使用时存在以下问题：

InSb磁敏器件的安装，需要将InSb薄膜材料结构的底部放置在电极上进行打线操作，在加工时，容易发生磨损，现有的InSb薄膜材料结构，不方便提高耐磨性能，导致材料损失率较大，影响正常使用，同时由InSb薄膜材料结构组成的InSb磁敏器件，在安装和使用时容易受到外界压力，现有的InSb薄膜材料结构，不方便进行抗压保护，容易受压破损，影响使用寿命。

针对上述问题，急需在原有InSb薄膜材料结构的基础上进行创新设计。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，以解决上述背景技术提出现有的InSb薄膜材料结构，不方便提高耐磨性能，同时不方便进行抗压保护的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，包括陶瓷衬底层，所述陶瓷衬底层的顶部设置有覆盖层，且覆盖层上设置有绝缘层，并且绝缘层上铺设有薄膜层；

还包括：

透气孔，所述透气孔贯通开设于陶瓷衬底层的内部，且陶瓷衬底层的底部固定有金属底片；

支撑条，所述支撑条固定于绝缘层的底部，且支撑条位于支撑槽内，并且支撑槽开设于覆盖层的顶部，而且支撑槽的底部放置有承压垫。

优选的，所述覆盖层和绝缘层分别采用Bi-sb合金材料和二氧化锆材料，通过Bi-sb合金材料实现对陶瓷衬底层进行覆盖，避免陶瓷衬底层出现掺杂效应，同时通过二氧化锆实现覆盖层和薄膜层的有效稳定绝缘。

优选的，所述透气孔等间距分布在陶瓷衬底层内，且透气孔的俯视截面呈蜿蜒状结构分布，透气孔的蜿蜒分布，增加透气面积，对陶瓷衬底层进行快速散热。

优选的，所述金属底片等间距分布在陶瓷衬底层的底部，且金属底片呈倒置的弧形结构设计，金属底片与电机接触，避免陶瓷衬底层摩擦受损。

优选的，所述金属底片的底部等角度设置有耐磨头，且耐磨头呈半球状结构设计，耐磨头可以增加金属底片的摩擦力。

优选的，所述支撑条等间距分布在绝缘层的底部，且支撑条的边侧与支撑槽之间凹凸配合，支撑条插入支撑槽内，增加绝缘层和覆盖层的接触面积，提高整体稳定性。

优选的，所述承压垫采用弧形结构的硅胶材料，且承压垫的顶部与支撑条底部弧面相贴合，承压垫受支撑条压力变形，对支撑条进行缓冲保护，进而对绝缘层和覆盖层进行缓冲保护。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过陶瓷衬底层底部的金属底片配合耐磨头，增加陶瓷衬底层的耐磨性能，避免与电机接触安装时发生磨损，并配合透气孔提高陶瓷衬底层的散热效果，同时通过支撑条和承压垫进行承压缓冲，提高整体抗压性能，具体内容如下；