[实用新型]一种具有金属连接框架的功率模块有效
申请号: | 202122871011.5 | 申请日: | 2021-11-22 |
公开(公告)号: | CN216958019U | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 张亦哲;陆岩 | 申请(专利权)人: | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 林志豪 |
地址: | 314000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 金属 连接 框架 功率 模块 | ||
1.一种具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,包括:
覆铜陶瓷基板、若干设于所述覆铜陶瓷基板上的双面可焊接的芯片、连接若干所述芯片的金属键合线、连接若干所述芯片和/或连接所述芯片与所述覆铜陶瓷基板的金属连接框架。
2.根据权利要求1所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述覆铜陶瓷基板包括:烧结一体的上铜层、中间陶瓷层和下铜层,其中,所述芯片的一面与所述上铜层焊接,所述芯片的另一面与所述金属连接框架焊接。
3.根据权利要求2所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述中间陶瓷层的面积大于所述上铜层的面积;所述中间陶瓷层的面积大于所述下铜层的面积。
4.根据权利要求1所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述金属连接框架包括:位于一侧或两侧且与所述覆铜陶瓷基板焊接的固定部、数量和位置均与若干所述芯片对应且与若干所述芯片焊接的凸起部、以及连接若干所述凸起部和/或连接所述凸起部与所述固定部的连接部。
5.根据权利要求1所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述覆铜陶瓷基板上开设有若干用于定位的定位孔,若干所述定位孔位于所述芯片周围和/或所述金属连接框架周围。
6.根据权利要求2所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述芯片与所述上铜层之间、所述芯片与所述金属连接框架之间具有焊料层,所述焊料层的厚度为50~300μm。
7.根据权利要求1所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述金属键合线和所述金属连接框架均为金属或金属基复合材质。
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