[实用新型]一种具有金属连接框架的功率模块有效

专利信息
申请号: 202122871011.5 申请日: 2021-11-22
公开(公告)号: CN216958019U 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 张亦哲;陆岩 申请(专利权)人: 嘉兴斯达半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/498;H01L21/60
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 林志豪
地址: 314000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 金属 连接 框架 功率 模块
【权利要求书】:

1.一种具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,包括:

覆铜陶瓷基板、若干设于所述覆铜陶瓷基板上的双面可焊接的芯片、连接若干所述芯片的金属键合线、连接若干所述芯片和/或连接所述芯片与所述覆铜陶瓷基板的金属连接框架。

2.根据权利要求1所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述覆铜陶瓷基板包括:烧结一体的上铜层、中间陶瓷层和下铜层,其中,所述芯片的一面与所述上铜层焊接,所述芯片的另一面与所述金属连接框架焊接。

3.根据权利要求2所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述中间陶瓷层的面积大于所述上铜层的面积;所述中间陶瓷层的面积大于所述下铜层的面积。

4.根据权利要求1所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述金属连接框架包括:位于一侧或两侧且与所述覆铜陶瓷基板焊接的固定部、数量和位置均与若干所述芯片对应且与若干所述芯片焊接的凸起部、以及连接若干所述凸起部和/或连接所述凸起部与所述固定部的连接部。

5.根据权利要求1所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述覆铜陶瓷基板上开设有若干用于定位的定位孔,若干所述定位孔位于所述芯片周围和/或所述金属连接框架周围。

6.根据权利要求2所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述芯片与所述上铜层之间、所述芯片与所述金属连接框架之间具有焊料层,所述焊料层的厚度为50~300μm。

7.根据权利要求1所述的具有金属连接框架的功率模块,其特征在于,所述金属键合线和所述金属连接框架均为金属或金属基复合材质。

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