[实用新型]一种工件蚀刻装置

说明书

本实用新型提供了一种工件蚀刻装置，包括第一喷淋箱、工件载台和缓冲导流平台，工件载台用于承载待蚀刻的工件，第一喷淋箱固定连接在底板的一端，包括第一箱本体和第一喷淋部，第一喷淋部设于第一箱本体的一侧外壁上，包括开设有第一溢流口的第一导流台，第一导流台的出口具有朝下倾斜的第一斜面，第一溢流口位于第一斜面的上方，工件载台和缓冲导流平台均设于底板上，缓冲导流平台具有位于第一斜面下方的缓冲平面部和朝下倾斜的第二斜面。本实用新型的工件蚀刻装置可以在工件化学蚀刻过程中对工件表面实现均匀浸润，且不损伤蚀刻出来的微结构，角度能够灵活调节，便于工件的取放，保证蚀刻效果。

技术领域

本实用新型属于化学蚀刻技术领域，尤其涉及一种工件蚀刻装置。

背景技术

化学蚀刻工艺常与光刻工艺配套用于制造微小结构，比如在晶圆上制作电路。蚀刻过程要求蚀刻溶液均匀浸润需要蚀刻的产品表面，并且能够快速达到充分浸润开始蚀刻过程，快速脱离浸润环境而终止蚀刻。常用的蚀刻显影工艺有浸没式、水柱式或喷淋式的显影方法，然而这些方法只适合表面尺寸在500mm以下的中小型工件，对于表面尺寸超过1000mm、重量达到数十公斤或上百公斤的大型工件，则很难达到快速、均匀的要求。浸没式蚀刻设备需要大型容器，和操纵大型工件的辅助装置，制造成本非常高；水柱式或喷淋式蚀刻设备则很难在大尺度范围内实现均匀浸润，而且喷射造成的冲击力可能损伤蚀刻出来的微结构。

实用新型内容

鉴于上述现有化学蚀刻技术中存在的问题，本实用新型的主要目的在于提供一种工件蚀刻装置，所提供的工件蚀刻装置可以在工件化学蚀刻过程中对工件表面实现均匀浸润，且不损伤蚀刻出来的微结构，角度能够灵活调节，便于工件的取放，保证蚀刻效果。

本实用新型的目的通过如下技术方案得以实现：

本实用新型提供一种工件蚀刻装置，该工件蚀刻装置包括第一喷淋箱、工件载台和缓冲导流平台；

所述工件载台用于承载待蚀刻的工件；

所述第一喷淋箱固定连接在底板的一端，包括第一箱本体和第一喷淋部，所述第一喷淋部设于所述第一箱本体的一侧外壁上，包括开设有第一溢流口的第一导流台，所述第一导流台的出口具有朝下倾斜的第一斜面，所述第一溢流口位于所述第一斜面的上方；

所述工件载台和所述缓冲导流平台均设于所述底板上，所述缓冲导流平台具有位于所述第一斜面下方的缓冲平面部和朝下倾斜的第二斜面。

作为上述技术方案的进一步描述，所述第一箱本体的一侧内壁上设有第一绕流隔板。

作为上述技术方案的进一步描述，所述第一箱本体的底面设置有若干第一进口。

作为上述技术方案的进一步描述，所述第一绕流隔板和所述第一箱本体的内壁之间形成第一导流通道，所述第一导流通道和所述第一斜面沿水平方向相对设置。

作为上述技术方案的进一步描述，还包括第二喷淋箱，所述第二喷淋箱包括第二箱本体和第二喷淋部，所述第二喷淋部设于所述第二箱本体的一侧外壁上，包括开设有第二溢流口的第二导流台，所述第二导流台的出口具有朝下倾斜的第三斜面，所述第二溢流口位于所述第三斜面的上方。

作为上述技术方案的进一步描述，所述第二箱本体的一侧内壁上设有第二绕流隔板；

所述第二绕流隔板与所述第二箱本体的内壁之间形成第二导流通道，所述第二导流通道与所述第三斜面沿水平方向相对设置；

所述第二箱本体的底面设置有若干第二进口。

作为上述技术方案的进一步描述，所述第二箱本体位于所述第一箱本体的上方，所述第二箱本体内用于通入定影液，所述第一箱本体内用于通入显影液。

作为上述技术方案的进一步描述，所述第一斜面、第三斜面、第三斜面的倾斜度为30°-60°；所述第一溢流口、第二溢流口的宽度为1mm-2mm。