[实用新型]抗干扰性强的SPO2传感器有效

专利信息
申请号: 202123194575.6 申请日: 2021-12-17
公开(公告)号: CN217033574U 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 钟昊哲 申请(专利权)人: 东莞晶瀚光电有限公司
主分类号: G01N21/01 分类号: G01N21/01;G01N21/17
代理公司: 深圳市壹品专利代理事务所(普通合伙) 44356 代理人: 周婷;李娟
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 抗干扰 spo2 传感器
【权利要求书】:

1.抗干扰性强的SPO2传感器,其特征在于,包括光线发射器和光线接收器,所述光线发射器具有发射区域和发射窗口,所述发射区域设有发射不同波长光波的发射芯片,所述发射窗口设有可调制不同波长芯片辐射功率的衰减片,所述发射区域和发射窗口呈上下正对布置;所述光线接收器具有接收窗口和接收区域,所述接收窗口处设有可抵抗环境杂光干扰的滤光片,所述接收区域设有接收穿过手指的光波的接收芯片,所述接收窗口和接收区域呈上下正对布置。

2.如权利要求1所述的抗干扰性强的SPO2传感器,其特征在于,所述发射芯片包括深红光芯片,所述深红光芯片发射的光波的波长范围为655~670nm之间。

3.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器,其特征在于,所述发射芯片包括近红外光芯片,所述近红外芯片发射的光波的波长范围为800~1000nm之间。

4.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器,其特征在于,所述衰减片包括中性灰度滤光片,所述中性灰度滤光片固定在所述发射窗口上。

5.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器,其特征在于,所述发射窗口的四周包裹有第一导热结构,所述发射区域印制在发射基板上,所述第一导热结构相对的两个侧边朝下弯折形成有第一包裹区域,所述发射基板卡扣在所述第一包裹区域内。

6.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器,其特征在于,所述发射区域设有功能区,所述功能区设有光学功能的保护层,所述保护层为环氧树脂或硅胶。

7.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器,其特征在于,所述接收芯片包括可抵抗环境杂光干扰的硅基PD芯片。

8.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器,其特征在于,所述滤光片包括带通滤光片,所述带通滤光片固定在所述接收窗口上。

9.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器,其特征在于,所述滤光片包括长波滤光片,所述长波滤光片固定在所述接收窗口上。

10.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器,其特征在于,所述接收窗口的四周包裹有第二导热结构,所述接收区域印制在接收基板上,所述第二导热结构相对的两个侧边朝下弯折形成有第二包裹区域,所述接收基板卡扣在所述第二包裹区域内;所述接收区域设有功能区,所述功能区上设有光学功能的保护层,所述保护层为环氧树脂或硅胶。

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