[实用新型]超声波传感器去耦元件及超声波传感器结构有效
| 申请号： | 202123224241.9 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN217331183U | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 吴金灯;吴双;陈定元;陈栋 | 申请（专利权）人： | 纵目科技(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/48 | 分类号： | G01D5/48;G01D11/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超声波传感器 元件 结构 | ||
1.一种超声波传感器去耦元件，其固定在超声波传感器的振膜、前盖和外壳之间，其特征在于，包括：
主体，其形成为中心轴向360度对称的环形体；
主体内侧壁下部形成有至少两个第五凸部，振膜与主体内侧壁下部接触面形成有与第五凸部相适应的第五凹部；
主体通过第五凸部和第五凹部与振膜形成过盈配合。
2.如权利要求1所述的超声波传感器去耦元件，其特征在于：主体外侧壁下部与前盖接触的面上形成为凹面，前盖上形成有所述凹面相适应的凸面。
3.如权利要求1所述的超声波传感器去耦元件，其特征在于：主体与外壳和振膜均形成过盈配合。
4.如权利要求3所述的超声波传感器去耦元件，其特征在于：主体外侧壁上部与外壳内侧壁接触面上形成有第一凸部，外壳内侧壁接触面上形成有与第一凸部相适应的第一凹部；
其中，主体与外壳通过第一凸部和第一凹部形成过盈配合。
5.如权利要求1所述的超声波传感器去耦元件，其特征在于：主体外侧壁上部形成有向内的外延部，主体还通过外延部与外壳和振膜形成过盈配合。
6.如权利要求5所述的超声波传感器去耦元件，其特征在于：外延部顶壁与外壳底壁接触面上形成有至少两个第二凸部，外壳底壁接触面上形成有所述第二凸部相适应的第二凹部；
其中，外延部与外壳通过第二凸部和第二凹部过盈配合。
7.如权利要求5所述的超声波传感器去耦元件，其特征在于：外延部底壁与振膜顶壁接触面上形成有第三凸部，振膜顶壁接触面上形成有与所述第三凸部相适应的第三凹部;
其中，外延部与振膜通过第三凸部和第三凹部过盈配合。
8.如权利要求5所述的超声波传感器去耦元件，其特征在于：主体外侧壁上部形成有向内的外延部，外延部与主体内侧壁共同形成第四凹部，振膜顶部外侧壁上形成有与所述第四凹部相适应的第四凸部。
9.如具有权利要求1-8任意一项所述的超声波传感器去耦元件的超声波传感器结构，其特征在于：前盖和外壳通过卡扣固定。
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