[实用新型]一种硅晶片自动测量接触角机构有效
| 申请号： | 202123319456.9 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN217009126U | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 赵智亮;高开中;王永平;李德刚 | 申请（专利权）人： | 苏州艺力鼎丰智能技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海合进知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31324 | 代理人： | 季锐 |
| 地址： | 215700 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 自动 测量 接触角 机构 | ||
1.一种硅晶片自动测量接触角机构，包括固定架(1)，其特征在于：所述固定架(1)的内侧开设有加工槽(2)，且固定架(1)的底部固定安装有均匀分布的支撑底座(9)，所述固定架(1)的内部活动套装有均匀分布的电动伸缩柱(7)，且固定架(1)的上下两侧固定套装有伺服电机(3)，所述伺服电机(3)的输出轴延伸至固定架(1)的内部并与电动伸缩柱(7)固定连接，所述电动伸缩柱(7)的输出轴延伸至加工槽(2)的内侧并固定套装有整平盘(8)，所述整平盘(8)的内部开设有与硅晶片相匹配的加工槽，且整平盘(8)的内部设置有与硅晶片外圈相匹配的斜面。
2.根据权利要求1所述的一种硅晶片自动测量接触角机构，其特征在于：所述整平盘(8)的外部活动套装有负压环(11)，且整平盘(8)的内部开设有均匀分布的吸附孔(13)。
3.根据权利要求2所述的一种硅晶片自动测量接触角机构，其特征在于：所述整平盘(8)的内部开设有与负压环(11)相匹配的负压腔(12)，所述负压环(11)的外部开设有与负压腔(12)相连通的连通孔(14)。
4.根据权利要求2所述的一种硅晶片自动测量接触角机构，其特征在于：所述固定架(1)的顶部固定安装有位于伺服电机(3)后方的负压风机(4)，所述负压风机(4)与负压环(11)之间固定连接有连通管(6)。
5.根据权利要求4所述的一种硅晶片自动测量接触角机构，其特征在于：所述固定架(1)的顶部固定安装有与负压风机(4)相对应的卷绕装置(5)，所述连通管(6)盘绕于卷绕装置(5)的内部。
6.根据权利要求1所述的一种硅晶片自动测量接触角机构，其特征在于：所述伺服电机(3)与电动伸缩柱(7)之间一一对应，所述固定架(1)的背面固定安装有与伺服电机(3)相对应的散热板(10)，两个所述电动伸缩柱(7)驱动轴的长度值之和大于加工槽(2)的高度值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
