[发明专利]半导体装置、摄像装置以及显示装置在审
申请号: | 202180002567.0 | 申请日: | 2021-02-17 |
公开(公告)号: | CN113661575A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 高桥圭;丰高耕平;小林英智 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33;H04N5/378 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 宋俊寅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 摄像 以及 显示装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
放大部;以及
转换部,
其中,所述放大部包括比较电路且依次被输入第一信号及第二信号,
所述比较电路在被输入所述第一信号的期间被供应第一参考电位,
所述比较电路在被输入所述第二信号的期间被供应第二参考电位,
所述放大部在被输入所述第二信号的期间将使所述第一信号与所述第二信号的电位的差异放大的输出电位输出到所述转换部,
并且,所述转换部将所述输出电位转换为数字值。
2.一种半导体装置,包括:
放大部;
转换部;以及
输入端子,
其中,所述放大部包括比较电路、第一电容器、第二电容器以及第一开关,
所述比较电路包括反相输入端子、非反相输入端子以及输出端子,
所述输入端子依次被供应第一信号及第二信号,
所述第一电容器的一对电极中的一个与所述输入端子电连接,另一个与所述反相输入端子电连接,
所述第二电容器及所述第一开关分别与所述反相输入端子及所述输出端子并联电连接,
在所述放大部被供应所述第一信号时所述第一开关导通且所述非反相输入端子被供应第一参考电位,在所述放大部被供应所述第二信号时,所述第一开关被遮断且所述非反相输入端子被供应与所述第一参考电位不同的第二参考电位,
并且,所述转换部将从所述输出端子输出的电位转换为数字值。
3.一种半导体装置,包括:
放大部;
转换部;以及
输入端子,
其中,所述放大部包括比较电路、第一电容器、第二电容器、第一开关、第二开关、第三开关、第一布线以及第二布线,
所述比较电路包括反相输入端子、非反相输入端子以及输出端子,
所述输入端子依次被供应第一信号及第二信号,
所述第一电容器的一对电极中的一个与所述输入端子电连接,另一个与所述反相输入端子电连接,
所述第二电容器及所述第一开关分别与所述反相输入端子及所述输出端子并联电连接,
被供应第一参考电位的所述第一布线与所述非反相输入端子通过所述第二开关电连接,
被供应与所述第一参考电位不同的第二参考电位的所述第二布线与所述非反相输入端子通过所述第三开关电连接,
并且,所述转换部将从所述输出端子输出的电位转换为数字值。
4.一种摄像装置,包括:
权利要求2或3所述的半导体装置;
像素;以及
第三布线,
其中,所述像素包括光电转换元件以及像素电路,
所述像素电路将包括受光电位的所述第一信号及包括复位电位的所述第二信号输出到所述第三布线,
并且,所述第三布线与所述输入端子电连接。
5.一种摄像装置,包括:
权利要求2或3所述的半导体装置;
多个像素;
多个第三布线;以及
第一选择电路,
其中,所述像素包括光电转换元件以及像素电路,
所述像素电路将包括受光电位的所述第一信号及包括复位电位的所述第二信号输出到所述第三布线,
多个所述第三布线与所述第一选择电路电连接,
并且,所述第一选择电路选择多个所述第三布线之一,使被选择的所述第三布线与所述输入端子电连接。
6.根据权利要求4或5所述的摄像装置,
其中在所述第三布线与所述输入端子之间包括相关双采样电路。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的摄像装置,还包括:
第一衬底;以及
第二衬底,
其中所述半导体装置设置于所述第一衬底上,
并且所述像素设置于所述第二衬底上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180002567.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的