[发明专利]结构体的制造方法和结构体的制造装置在审

专利信息
申请号: 202180013632.X 申请日: 2021-02-12
公开(公告)号: CN115066741A 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 堀切文正;福原昇 申请(专利权)人: 株式会社赛奧科思;住友化学株式会社
主分类号: H01L21/3063 分类号: H01L21/3063
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 朱丹
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 结构 制造 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种结构体的制造方法,其中,具有如下工序:

准备至少上表面由Ⅲ族氮化物晶体构成的蚀刻对象物、和作为接受电子的氧化剂而含有过二硫酸根离子的碱性或酸性的蚀刻液的工序;

在使所述蚀刻对象物旋转,并且所述蚀刻对象物的上表面浸渍于以生成硫酸根自由基的方式被加热后的所述蚀刻液中的状态下,对于所述蚀刻对象物的上表面照射光的工序。

2.根据权利要求1所述的结构体的制造方法,其中,在所述照射光的工序中,在所述蚀刻对象物的上表面上供给所述蚀刻液,并且对于所述蚀刻对象物的上表面照射所述光。

3.根据权利要求2所述的结构体的制造方法,其中,在所述照射光的工序中,不使所述蚀刻对象物的上表面沉入所述蚀刻液中,通过在所述蚀刻对象物的上表面上供给所述蚀刻液,并且使所述蚀刻对象物旋转,从而使所述蚀刻对象物的上表面的全体浸渍在所述蚀刻液中。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的结构体的制造方法,其中,在所述照射光的工序中,对于所述蚀刻对象物的上表面,倾斜地照射所述光。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的结构体的制造方法,其中,在所述照射光的工序中,以不使构成用于所述结构体的制造方法的结构体的制造装置的构件因所述光形成的阴影映在所述蚀刻对象物的上表面的方式,照射所述光。

6.根据权利要求1~4中任一项所述的结构体的制造方法,其中,在所述照射光的工序中,使构成用于所述结构体的制造方法的结构体的制造装置的构件因所述光形成的阴影,在所述蚀刻对象物的上表面不映在旋转的中心,而是与该中心相比映在外周侧的方式,照射所述光。

7.根据权利要求1~3中任一项所述的结构体的制造方法,其中,在所述照射光的工序中,作为所述光,照射至少包含第一光、和从与所述第一光不同的方向照射的第二光的光。

8.根据权利要求7所述的结构体的制造方法,其中,在所述照射光的工序中,以与只照射所述第一光和所述第二光中的任意一方时的、所述蚀刻对象物的上表面中的照射强度的分布相比,使照射所述第一光和所述第二光两方时的、所述蚀刻对象物上表面中的照射强度的分布的均匀性提高的方式,照射所述第一光和所述第二光。

9.根据权利要求7或8所述的结构体的制造方法,其中,在所述照射光的工序中,以使构成用于所述结构体的制造方法的结构体的制造装置的构件因所述第一光形成的阴影,映在所述蚀刻对象物的上表面,使所述第二光照射到所述阴影之上的方式,照射所述光。

10.根据权利要求1或2所述的结构体的制造方法,其中,在所述照射光的工序中,以使所述蚀刻对象物的上表面沉入所述蚀刻液中的方式在容器中收容所述蚀刻对象物和所述蚀刻液,从而使所述蚀刻对象物的上表面的全体浸渍在所述蚀刻液中,通过使所述容器旋转,从而使所述蚀刻液与所述蚀刻对象物一起旋转。

11.一种结构体的制造装置,其具有:

保持部,所述保持部能够旋转地保持至少上表面由Ⅲ族氮化物晶体构成的蚀刻对象物;

供给部,所述供给部将作为接受电子的氧化剂而含有过二硫酸根离子的碱性或酸性的蚀刻液,供给到所述蚀刻对象物的上表面上;

加热器,所述加热器加热所述蚀刻液;

光照射装置,所述光照射装置对所述蚀刻对象物的上表面照射光;

控制装置,所述控制装置以在使所述蚀刻对象物旋转,并且所述蚀刻对象物的上表面浸渍于以生成硫酸根自由基的方式被加热后的所述蚀刻液中的状态下,对所述蚀刻对象物的上表面照射所述光的方式,控制所述保持部、所述供给部、所述加热器和所述光照射装置。

12.根据权利要求11所述的结构体的制造装置,其中,所述控制装置,以在所述蚀刻对象物的上表面上供给所述蚀刻液,并且对所述蚀刻对象物的上表面照射所述光的方式,控制所述供给部和所述光照射装置。

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