[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其包括单端口SRAM单元，其特征在于：

所述单端口SRAM单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管，

所述第一晶体管的一节点与供给第一电压的第一电源相连，另一节点与第一节点相连，栅极与第二节点相连，

所述第二晶体管的一节点与所述第一电源相连，另一节点与所述第二节点相连，栅极与所述第一节点相连，

所述第三晶体管的一节点与所述第一节点相连，另一节点与供给第二电压的第二电源相连，栅极与所述第二节点相连，所述第二电压与所述第一电压不同，

所述第四晶体管的一节点与所述第二节点相连，另一节点与所述第二电源相连，栅极与所述第一节点相连，

所述第五晶体管的一节点与第一位线相连，另一节点与所述第一节点相连，栅极与字线相连，

所述第六晶体管的一节点与第二位线相连，另一节点与所述第二节点相连，栅极与所述字线相连，所述第二位线与所述第一位线构成互补位线对，

所述第一晶体管包括第一纳米片和第一栅极布线，所述第二晶体管包括第二纳米片和第二栅极布线，所述第三晶体管包括第三纳米片和第三栅极布线，所述第四晶体管包括第四纳米片和第四栅极布线，所述第五晶体管包括第五纳米片和第五栅极布线，所述第六晶体管包括第六纳米片和第六栅极布线，

所述第一纳米片～所述第六纳米片沿第一方向延伸，

所述第一栅极布线包围所述第一纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第二栅极布线包围所述第二纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第三栅极布线包围所述第三纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第四栅极布线包围所述第四纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第五栅极布线包围所述第五纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第六栅极布线包围所述第六纳米片的、第二方向和第三方向上的外周，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，

所述第一纳米片、所述第三纳米片以及所述第六纳米片沿所述第二方向按照所述第六纳米片、所述第一纳米片、所述第三纳米片的顺序排列而成，

所述第二纳米片、所述第四纳米片以及所述第五纳米片沿所述第二方向按照所述第四纳米片、所述第二纳米片、所述第五纳米片的顺序排列而成，

所述第一纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第一栅极布线露出，所述第二纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第二栅极布线露出，所述第三纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第三栅极布线露出，所述第四纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第四栅极布线露出，所述第五纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第五栅极布线露出，所述第六纳米片的、所述第二方向上的任一侧的面从所述第六栅极布线露出，

在比所述第一晶体管～所述第六晶体管靠下的下层形成有第一电源布线，当俯视时所述第一电源布线在所述第一纳米片与所述第二纳米片之间沿所述第一方向延伸，并且供给所述第一电压，

所述第一纳米片的在所述第二方向上与第一侧相反的一侧即第二侧的面从所述第一栅极布线露出，所述第一电源布线形成在所述第一纳米片的所述第一侧，

所述第二纳米片的在所述第二方向上与所述第二侧相反的一侧即所述第一侧的面从所述第二栅极布线露出，所述第一电源布线形成在所述第二纳米片的所述第二侧。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述单端口SRAM单元还包括第一布线和第二布线，

所述第一布线沿所述第一方向延伸，成为所述第一位线，

所述第二布线沿所述第一方向延伸，成为所述第二位线，

所述第一布线和所述第二布线形成于同一个第一布线层，该第一布线层是比所述第一晶体管～所述第六晶体管靠上的上层，

所述第一布线和所述第二布线中的至少一者的、所述第二方向上的宽度，比形成于所述第一布线层的布线中所述第二方向上的宽度为最小的布线宽。