[发明专利]半导体膜、光检测元件、图像传感器及半导体膜的制造方法

权利要求书

1.一种半导体膜，其包含含有Pb原子的半导体量子点的集合体及与所述半导体量子点配位的配体，

1价以下的Pb原子的个数相对于2价Pb原子的个数之比为0.20以下。

2.根据权利要求1所述的半导体膜，其中，

1价以下的Pb原子的个数相对于2价Pb原子的个数之比为0.10以下。

3.根据权利要求1所述的半导体膜，其中，

1价以下的Pb原子的个数相对于2价Pb原子的个数之比为0.05以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体膜，其中，

所述半导体量子点含有PbS。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体膜，其中，

所述配体包含选自含有卤原子的配体及含有2个以上配位部的多齿配体中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的半导体膜，其中，

所述含有卤原子的配体为无机卤化物。

7.根据权利要求6所述的半导体膜，其中，

所述无机卤化物含有Zn原子。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体膜，其中，

所述含有卤原子的配体含有碘原子。

9.一种光检测元件，其包含权利要求1至8中任一项所述的半导体膜。

10.一种图像传感器，其包含权利要求9所述的光检测元件。

11.一种半导体膜的制造方法，其包括：

半导体量子点集合体形成工序，在基板上赋予包含含有Pb原子的半导体量子点、与所述半导体量子点配位的第1配体及溶剂的半导体量子点分散液而形成半导体量子点的集合体的膜；

配体交换工序，对通过所述半导体量子点集合体形成工序形成的所述半导体量子点的集合体的膜赋予包含与所述第1配体不同的第2配体及溶剂的配体溶液，将与半导体量子点配位的第1配体和配体溶液中包含的第2配体进行交换；

冲洗工序，使所述配体交换工序后的半导体量子点的集合体的膜与非质子性溶剂接触而进行冲洗；及

干燥工序，对冲洗工序后的半导体膜在含氧气体环境下进行干燥。