[发明专利]用于干法去除光致抗蚀剂的处理工具

权利要求书

1.一种装置，其包括：

处理室，其中所述处理室暴露于大气条件；

衬底支撑件，其用于将所述半导体衬底保持在所述处理室中；

加热组件，其面向在所述衬底支撑件上的所述半导体衬底，其中所述加热组件包括多个加热元件；以及

蚀刻气体输送喷嘴，其定位在所述衬底支撑件上方，其中所述蚀刻气体输送喷嘴能移动以将蚀刻气体的输送定位到所述半导体衬底上方的位置。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体衬底包含含金属EUV抗蚀剂，其中所述含金属EUV抗蚀剂的一个或多个部分能被所述蚀刻气体去除。

3.根据权利要求1所述的装置，其中暴露于大气条件的所述处理室暴露于介于约50托和约765托之间的大气压强。

4.根据权利要求1所述的装置，其中暴露于大气条件的所述处理室暴露于受控气氛，其中暴露于所述受控气氛包括暴露于大于约760托的室压强和/或暴露于氮气、水蒸气、二氧化碳、氩气、氦气或其组合。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个加热元件包括多个LED，所述多个LED被布置在多个独立可控的加热区中。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述蚀刻气体输送喷嘴耦合到可移动摆臂，所述可移动摆臂被配置为将所述蚀刻气体输送喷嘴从所述半导体衬底的中心到边缘定位。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述衬底支撑件被配置为旋转所述半导体衬底。

8.根据权利要求1所述的装置，其还包括：

控制器，其被配置有用于加工所述半导体衬底的指令，所述指令包括用于下述操作的代码：

在所述处理室中在所述半导体衬底上提供含金属EUV抗蚀剂；以及

经由所述蚀刻气体输送喷嘴将所述蚀刻气体输送至所述半导体衬底，以在大气条件下从所述半导体衬底干法蚀刻所述含金属EUV抗蚀剂的一个或多个部分。

9.根据权利要求8所述的装置，其中在大气条件下干法蚀刻所述含金属EUV抗蚀剂的所述一个或多个部分包括：通过相对于所述含金属EUV抗蚀剂的已暴露部分选择性去除所述含金属EUV抗蚀剂的未暴露部分来干法显影所述含金属EUV抗蚀剂。

10.根据权利要求8所述的装置，其中在大气条件下干法蚀刻所述含金属EUV抗蚀剂的所述一个或多个部分包括：从所述半导体衬底的倒角边缘干法清洁所述含金属EUV抗蚀剂。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的装置，其还包括：

排气扇，其被配置成去除所述处理室中的蚀刻副产物和其他残留气体。

12.根据权利要求1-10中任一项所述的装置，其还包括：

气体源，其耦合到所述处理室，以用于将惰性气体和/或稀释气体输送到所述处理室。

13.根据权利要求1-10中任一项所述的设备，其中，所述处理室是无等离子体热处理室。

14.一种装置，其包括：

处理室，其中所述处理室暴露于大气条件；

用于支撑半导体衬底并且包括多个加热区的烘烤板，所述多个加热区中的每一个包括一个或多个加热元件；以及

蚀刻气体分配器，其位于所述烘烤板上方，其中所述蚀刻气体分配器被配置为将蚀刻气体输送到所述半导体衬底。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述半导体衬底包含含金属EUV抗蚀剂，其中所述含金属EUV抗蚀剂的一个或多个部分能被所述蚀刻气体去除。

16.根据权利要求14所述的装置，其中暴露于大气条件的所述处理室暴露于介于约50托和约765托之间的大气压强。