[发明专利]电路板在审
申请号: | 202180017376.1 | 申请日: | 2021-01-13 |
公开(公告)号: | CN115152333A | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 李东华 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H05K1/11 | 分类号: | H05K1/11;H05K1/02;H05K3/38;H05K3/40 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路板 | ||
1.一种电路板,包括:
第一基板,所述第一基板包括第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层的上表面上的第一焊盘;
第二基板,所述第二基板包括具有通孔的第二绝缘层和形成在所述第二绝缘层的上表面和下表面以及所述通孔的内壁上的金属层;
第三绝缘层,所述第三绝缘层设置在所述第一基板与所述第二基板之间,并且在与所述通孔重叠的区域中具有第一开口;
过孔,所述过孔填充所述通孔并且设置在通过所述第三绝缘层的开口暴露的所述第一焊盘上;以及
第二焊盘,所述第二焊盘设置在所述过孔和在所述第二绝缘层的上表面上设置的所述金属层上。
2.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述第三绝缘层设置于在所述第二绝缘层的所述下表面上设置的金属层的下表面与所述第一焊盘的上表面之间,并且
其中,设置在所述第二绝缘层的所述下表面上的所述金属层的下表面通过所述第三绝缘层与所述第一焊盘的所述上表面间隔开。
3.根据权利要求2所述的电路板,其中,所述过孔的下表面位于比所述金属层的所述下表面低的位置。
4.根据权利要求2所述的电路板,其中,所述过孔包括:
第一部分,所述第一部分与所述金属层接触;
第二部分,所述第二部分与所述第三绝缘层接触;
第三部分,所述第三部分与所述第一焊盘接触;以及
第四部分,所述第四部分与所述第二焊盘接触。
5.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述第三绝缘层包括形成在所述第二绝缘层的所述下表面上设置的所述金属层的下表面与所述第一焊盘的上表面之间的第二开口,并且
其中,设置在所述第二绝缘层的所述下表面上的所述金属层的所述下表面通过所述第二开口与所述第一焊盘的所述上表面接触。
6.根据权利要求5所述的电路板,其中,所述过孔包括:
第一部分,所述第一部分与所述金属层接触;
第三部分,所述第三部分与所述第一焊盘接触;以及
第四部分,所述第四部分与所述第二焊盘接触,并且
其中,所述过孔与所述第三绝缘层不接触。
7.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述第一焊盘和所述金属层中的至少一者的表面粗糙度Ra为0.5μm以下。
8.根据权利要求1所述的电路板,还包括:
缓冲层,所述缓冲层设置在所述第一焊盘上以及所述金属层的表面上,
其中,所述缓冲层包括碳原子、氮原子、氧原子、硅原子、硫原子和金属原子,
所述碳原子与所述金属原子之比,即(碳原子/铜原子)*100,为5至7,
所述氮原子与所述金属原子之比,即(氮原子/铜原子)*100,为1.5至7,
所述氧原子与所述金属原子之比,即(氧原子/铜原子)*100,为1.1至1.9,
所述硅原子与所述金属原子之比,即(硅原子/铜原子)*100,为0.5至0.9,并且
所述硫原子与所述金属原子之比,即(硫原子/铜原子)*100,为0.5至1.5。
9.根据权利要求8所述的电路板,其中,所述碳原子、所述氮原子、所述氧原子、所述硅原子和所述硫原子相互键合并存在于多个分子中,
其中,所述金属原子以金属离子的形式存在,
其中,所述分子与所述金属离子彼此化学键合,并且
其中,所述分子包括大分子和单分子。
10.根据权利要求8所述的电路板,其中,所述缓冲层包括与所述第一绝缘层或所述第二绝缘层连接以及与所述第一焊盘或所述金属层连接的多个末端基团,并且
其中,所述末端基团与所述第一绝缘层和所述第一焊盘或者与所述第二绝缘层和所述金属层共价键合或配位键合。
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