[发明专利]制造光电子器件的方法和光电子器件在审
| 申请号： | 202180018181.9 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN115152038A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | S·斯托尔;M·劳布舍尔 | 申请（专利权）人： | 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46;H01L33/50;H01L33/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 光电子 器件 方法 | ||
1.一种用于制造光电子器件的方法（1），具有步骤：
A）提供多个发射辐射的半导体芯片（2），所述多个发射辐射的半导体芯片被设置为在运行期间发射第一波长范围的初级辐射，
B）将被设置用于发射第二波长范围的次级辐射的转换器（3）施加到所述多个发射辐射的半导体芯片（2）上，
C）施加镜层序列（4），所述镜层序列（4）被设置用于反射所述初级辐射并透射所述次级辐射，其中所述镜层序列（4）布置在所述转换器（3）的下游，
D）分离所述多个发射辐射的半导体芯片（2）以产生光电子器件（1）。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在晶片复合体（12）中提供所述多个发射辐射的半导体芯片（2）。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述转换器（3）借助于喷涂施加到所述多个发射辐射的半导体芯片（2）上。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述镜层序列（4）借助于溅射、原子层沉积和/或等离子体增强的化学气相沉积（PECVD）施加到所述转换器（3）上。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述镜层序列（4）直接施加到所述转换器（3）上。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将所述镜层序列（4）施加到载体（5）上并且将所述载体（5）布置在所述转换器（3）的下游，使得所述镜层序列（4）布置在所述转换器（3）和所述载体（5）之间。
7. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在施加所述镜层序列（4）之后固化所述转换器（3）。
8.一种光电子器件（1），具有
-发射辐射的半导体芯片（2），其在运行期间发射第一波长范围的初级辐射，
-转换元件（6），其被设置用于发射第二波长范围的次级辐射，以及
-介电镜（7），其中
-所述介电镜（7）被设置用于反射所述初级辐射并透射所述次级辐射，
-所述介电镜（7）布置在所述半导体芯片（2）的下游，并且
-所述介电镜（7）和所述转换元件（6）的侧面具有分离过程的痕迹。
9.根据权利要求8所述的光电子器件（1），其中，所述转换元件（6）具有基质材料（8）和发光物质（9）。
10.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（1），其中，所述转换元件（6）的次级辐射是红光。
11.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（1），其中，所述光电子器件在运行期间主要发射次级辐射，特别是仅发射次级辐射。
12.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（1），其中，所述光电子器件所发射的辐射的色度坐标在xy-CIE标准色系中位于角点处于坐标(0.655,0.337)、(0.658,0.337)、(0.655,0.339)和(0.658,0.339)的颜色正方形中。
13.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（1），其中，所述转换元件（6）布置在所述半导体芯片（2）的下游并且布置在所述半导体芯片（2）和所述介电镜（7）之间。
14.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（1），其中，所述转换元件（6）被构造为层并且具有在至少50微米和至多100微米之间的厚度。
15.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件（1），其中，所述介电镜（7）具有至多10微米的厚度。
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