[发明专利]半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物

权利要求书

1.一种处理方法，其为对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与未形成所述图案的图案未形成区域的半导体基板的所述主表面进行处理的处理方法，所述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，其包括如下工序：

表面处理工序，使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触所述半导体基板的所述主表面的所述图案形成区域及所述图案未形成区域，其中

在所述表面处理工序后的所述图案未形成区域的表面上的

对2-丙醇的IPA接触角在室温25度下为2°以上、和/或

对纯水的水接触角在室温25度下为50°以上。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述图案尺寸是在所述主表面的面内方向上的至少一个宽度方向的尺寸、和/或在相对于所述主表面为垂直的方向上的至少一个高度方向的尺寸。

3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其中，所述表面处理工序是在所述半导体基板的所述主表面的整体形成表面处理剂层者；

在所述表面处理剂层的表面上的

所述IPA接触角在室温25度下为2°以上、和/或

所述水接触角在室温25度下为55°以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的处理方法，其中，所述凹凸结构包含选自由Si、Ti、Ge、W以及Ru、含有1种以上Si、Ti、Ge、W以及Ru的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳氮化物和碳氧化物组成的组中的一种或两种以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的处理方法，其中，所述表面处理剂组合物包含溶剂。

6.根据权利要求5所述的处理方法，其中，所述溶剂包含非质子性溶剂。

7.根据权利要求6所述的处理方法，其中，所述溶剂在所述溶剂100质量％中以100质量％的含量包含所述非质子性溶剂。

8.根据权利要求6或7所述的处理方法，其中，所述非质子性溶剂包含选自由烃、酯、醚、酮、含卤素元素溶剂、亚砜、碳酸酯溶剂、多元醇的衍生物、含氮元素溶剂及有机硅溶剂组成的组中的一种或两种以上。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的处理方法，其中，所述溶剂包含碳酸酯溶剂或内酯。

10.根据权利要求6～8中任一项所述的处理方法，其中，所述溶剂包含碳酸亚丙酯或γ-丁内酯。

11.根据权利要求6～8中任一项所述的处理方法，其中，所述溶剂包含选自由多元醇的衍生物、烃及醚组成的组中的一种或两种以上。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的处理方法，其中，所述甲硅烷基化剂包含由下述通式[1]所示的硅化物，

R¹_aSi(H)_bX_4-a-b[1]

上述通式[1]中，R¹分别彼此独立地为包含一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～18的烃基的有机基团，X分别彼此独立地为键合于Si元素的元素为氮、氧、碳或卤素的1价官能团，a为1～3的整数，b为0～2的整数，a与b的总和为1～3。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的处理方法，其中，所述甲硅烷基化剂具有三烷基甲硅烷基。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的处理方法，其中，所述甲硅烷基化剂的键合于Si元素的元素为氮。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的处理方法，其中，所述甲硅烷基化剂的含量在所述表面处理剂组合物100质量％中为0.1质量％以上且50质量％以下。