[发明专利]用于光刻设备的光学元件和表膜隔膜

说明书

描述了一种用于光刻设备的光学元件，所述光学元件包括被选择以支撑顶部层的锚固层，所述顶部层在工作的光刻设备或包含等离子体的环境中具有自终止生长性。还描述了一种制造光学元件的方法，所述方法包括以下步骤：经由曝露于优选地为电磁诱发的等离子体的等离子体而将顶部层沉积于锚固层上。还描述了包括此类光学元件的光刻设备。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年5月26日递交的欧洲申请20176421.4的优先权，该欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种用于光刻设备的光学元件、一种用于光刻设备的组件以及一种表膜隔膜在光刻设备或方法中的用途或方法。本发明还涉及制造光学元件和表膜隔膜的方法、以及用于光刻设备的表膜隔膜和方法。

背景技术

光刻设备是构造成将期望的图案施加至基底上的机器。光刻设备可以用于制造例如集成电路(IC)。光刻设备可以例如将来自图案形成装置(例如，掩模)的图案投影至设置于基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

由光刻设备使用以将图案投影至基底上的辐射的波长确定可以形成于该基底上的特征的最小尺寸。与常规光刻设备(该光刻设备可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)相比，使用EUV辐射(波长在4nm至20nm范围内的电磁辐射)的光刻设备可以用于在基底上形成较小的特征。

光刻设备包括图案形成装置(例如，掩模或掩模版)。辐射被提供为穿过图案形成装置或从图案形成装置反射以在基底上形成图像。隔膜组件(也称为表膜)可以被提供为保护图案形成装置免受空浮微粒和其他形式的污染的影响。图案形成装置的表面上的污染可能造成基底上的制造缺陷。

也可以提供表膜以用于保护除了图案形成装置之外的光学元件。表膜也可以用于在光刻设备的彼此密封的区之间提供用于光刻辐射的通路。表膜也可以用作滤波器(诸如光谱纯度滤波器)或用作光刻设备的动态气锁的一部分。

掩模组件可以包括表膜，所述表膜保护图案形成装置(例如，掩模)免受微粒污染的影响。表膜可以由表膜框架支撑，从而形成表膜组件。可以例如通过将表膜边界区胶合或以其他方式附接至框架来将表膜附接至框架。框架可以永久性地或可拆卸地附接至图案形成装置。

由于表膜存在于EUV辐射束的光路中，所以需要表膜具有较高的EUV透射率。较高的EUV透射率允许更大比例的入射辐射穿过表膜。另外，减少由表膜吸收的EUV辐射的量可以降低表膜的工作温度。由于透射率至少部分地依赖于表膜的厚度，所以期望提供这样的表膜：所述表膜在保持足以耐受光刻设备内的有时不利的环境的可靠强度的同时尽可能薄。

因此，期望提供一种能够耐受光刻设备(特别是EUV光刻设备)的恶劣环境的表膜。尤其期望提供能够耐受比以前更高的功率的表膜。

尽管本申请总体上涉及在光刻设备(特别是EUV光刻设备)的内容背景中的表膜，但本发明不仅限于表膜和光刻设备，并且应明白的是，本发明的主题可以用于任何其他合适的设备或情形中。

例如，本发明的方法可以同样应用于光谱纯度滤波器。一些EUV源(诸如使用等离子体产生EUV辐射的那些EUV源)不仅发射期望的‘带内’EUV辐射，而且也发射不期望的(带外)辐射。该带外辐射在深UV(DUV)辐射范围(100nm至400nm)内是最多的。此外，在一些EUV源(例如，激光产生等离子体EUV源)的情况下，来自激光的通常在10.6微米下的辐射呈现显著的带外辐射。

在光刻设备中，出于若干原因而期望光谱纯度。一个原因是抗蚀剂对带外波长的辐射是敏感的，并且因此施加至抗蚀剂的图案的图像品质可能在抗蚀剂曝露于此带外辐射的情况下劣化。此外，带外辐射红外辐射(例如，一些激光产生等离子体源中的10.6微米辐射)引起对光刻设备内的图案形成装置、基底和光学器件的不期望的且不必要的发热。这种发热可能导致这些元件损坏、这些元件的寿命降低和/或投影至抗蚀剂涂覆基底上及施加至抗蚀剂涂覆基底的图案的缺陷或失真。