[发明专利]半导体装置制造用粘接片及使用该半导体装置制造用粘接片的半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供粘接片及使用该粘接片的半导体装置的制造方法，该粘接片在剥离工序之前，即使受到伴随QFN组装的热过程，也不会从引线框架的背面及密封树脂的背面剥离而能够充分且稳定地粘贴，密封树脂也不会泄漏，而且在剥离工序中能够容易地剥离，不会产生粘接剂残留的胶糊残留或断裂。本发明的半导体装置制造用粘接片具备基材；以及设置于该基材的一个面的热固化型的粘接剂层，能够剥离地粘贴于半导体装置的引线框架或布线基板。本发明的粘接片中的所述粘接剂层含有：含羧基丙烯腈‑丁二烯共聚物(a)；具有下述结构式(1)的环氧树脂(b)；含有两个以上的马来酰亚胺基的化合物(c)；以及潜在型固化剂(d)。

技术领域

本发明涉及通过QFN(Quad Flat Non-lead方形扁平无引线)方式组装半导体装置时适合用作掩模带的粘接片和使用该粘接片的半导体装置的制造方法。

背景技术

近年，以便携电话为代表的IT设备的小型化、薄型化、多功能化提高，为了应对该要求，半导体装置(半导体封装)中的进一步的高密度安装技术的必要性提高。

作为应对该要求的CSP(Chip Size Package芯片尺寸封装)技术，QFN方式受到关注(参照专利文献1及专利文献2)，特别是在100引脚以下的少引脚型半导体装置的制造中被广泛采用。

在此，作为基于QFN方式的一般的QFN封装的组装方法，大致已知下述方法。首先，在粘贴工序中，在引线框架的一个面粘贴粘接片，接着，在芯片贴装工序中，在形成于引线框架的多个半导体元件搭载部(芯片焊盘部)分别搭载IC芯片等半导体元件。接着，在打线接合工序中，通过接合线电连接沿引线框架的各半导体元件搭载部的外周设置的多个引线和半导体元件。接着，在密封工序中，利用密封树脂密封搭载于引线框架的半导体元件。

此后，在剥离工序中，通过将粘接片从引线框架剥离，能够形成排列有多个QFN封装的QFN单元。最后，在切割工序中，通过沿各QFN封装的外周切割该QFN单元，能够制造多个QFN封装。

在用于这种用途的粘接片中，要求在剥离工序之前不会从引线框架的背面及密封树脂的背面剥离而充分且稳定地粘贴，并且在剥离工序中能够容易地剥离，不存在粘接剂残留于引线框架的背面、密封树脂的背面的胶糊残留或粘接片的断裂等不良情况。

特别是近年来，为了降低半导体装置的成本而使用由铜合金构成的引线框架。在对这样的由铜合金构成的引线框架使用粘接片的情况下，由于作为构成引线框架的过渡金属的铜对高分子材料的氧化劣化的催化剂作用，存在如下问题：由于伴随编带工序后的QFN封装组装的热过程，作为高分子材料的粘接剂容易氧化劣化，从引线框架剥离粘接片时容易发生重剥离及胶糊残留。

因此，以往使用的粘接片不能充分满足能够用于由铜合金构成的引线框架的实用水平。

例如，在以往的粘接片中，具有在由耐热性膜构成的基材上层叠含有丙烯腈-丁二烯共聚物和双马来酰亚胺树脂的粘接剂层的形态(参照专利文献3)。在使用这种粘接片的情况下，由于在编带工序后的芯片贴装固化处理、打线接合工序及树脂密封工序中施加的热，粘接剂层中的丙烯腈-丁二烯共聚物容易劣化，在剥离工序中，产生剥离困难、或者粘接片断裂、产生胶糊残留的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-165961号公报

专利文献2：日本特开2005-142401号公报

专利文献3：日本特开2008-095014号公报

发明内容