[发明专利]用于基板支撑件的非接触式温度监视的设备、系统及方法在审
申请号: | 202180037544.3 | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN115699284A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 巴斯卡尔·普拉萨德;克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚;托马斯·布里泽哲科;斯里尼瓦萨·拉奥·耶德拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687;C23C14/50;C23C16/458;G01J5/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 支撑 接触 温度 监视 设备 系统 方法 | ||
1.一种基板处理设备,包含:
热处理腔室,限定处理空间;
基板支撑件,在所述处理空间内,所述基板支撑件包含基板界面表面和背表面;
基座毂,可移除地耦接至所述基板支撑件并限定毂空间的至少一部分;
观察口,耦合到所述基座毂;
传感器,设置在所述基座毂内,所述传感器具有输入端,所述输入端定位成接收通过所述基座毂的所述观察口从所述基板支撑件的所述背表面发射的电磁能,其中所述基板支撑件相对于所述传感器和所述基座毂从第一方向脱离并且可定位在所述第一方向上,其中所述传感器配置为测量进入所述传感器的所述电磁能的强度并产生强度信号;和
处理器,通信地耦合到所述传感器,所述处理器配置为基于所述强度信号决定表观温度。
2.如权利要求1所述的基板处理设备,其中所述传感器包含红外传感器,其中所述红外传感器具有约2微米至约14微米的光谱范围。
3.如权利要求1所述的基板处理设备,进一步包含收集透镜和/或共焦透镜,设置在所述传感器的所述输入端和所述观察口之间。
4.如权利要求1所述的基板处理设备,其中所述基座毂包含一组接触销,并且所述基板支撑件的所述背表面包含一组接触端子,其中所述一组接触销和所述一组接触端子配置为可彼此分离。
5.如权利要求1所述的基板处理设备,其中所述处理器配置为基于所述强度信号来决定所述基板支撑件的所述背表面的发射率。
6.一种基板处理设备,包含:
处理腔室,限定处理空间;
基板支撑件,在所述处理空间内,所述基板支撑件包含基板界面表面和背表面;
基座毂,限定毂空间的至少一部分,所述基座毂具有配置成可移除地耦接至所述基板支撑件的支撑表面;
探针,设置在所述毂空间内,所述探针具有输入端,所述输入端定位成接收从所述基板支撑件的所述背表面发射的电磁能,其中所述基板支撑件相对于所述探针和所述基座毂可定位在第一方向上;
传感器,光学耦合到所述探针的输出端,所述传感器配置为测量进入所述探针的所述电磁能的强度以产生强度信号,其中所述传感器设置在所述毂空间的外侧;和
处理器,通信地耦合到所述传感器,并配置为基于所述强度信号决定表观温度。
7.如权利要求6所述的基板处理设备,其中所述基板支撑件是静电夹盘,其中所述传感器设置在所述毂空间的外侧,并且其中所述传感器由光纤而光学耦合到所述探针的所述输出端。
8.如权利要求6所述的基板处理设备,其中观察口设置在所述探针的所述输入端与所述基板支撑件的所述背表面之间,其中从所述探针的所述输入端至所述基板支撑件的所述背表面的距离为约40mm至100mm。
9.如权利要求6所述的基板处理设备,其中所述探针是准直仪。
10.如权利要求6所述的基板处理设备,其中光学分辨率为约20:1至约24:1。
11.一种控制处理温度的方法,包含以下步骤:
将基板定位在基板支撑件的支撑表面上;
将所述基板支撑件定位在一组接触销上,所述一组接触销设置在基座毂上,所述基座毂设置在处理腔室的处理空间内,其中所述基板支撑件可移除地耦接到所述基座毂,其中所述基板支撑件定位成使得所述基板支撑件的目标表面设置在设置在所述基座毂内的传感器上方;
由所述传感器接收从所述基板支撑件的所述目标表面发射的电磁能,同时在所述处理空间中的所述基板上执行处理;
用所述传感器产生用于所述电磁能的强度信号;
从所述强度信号决定所述基板的表观温度;和
在处理所述基板之后,从所述一组接触销移除所述基板和所述基板支撑件。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造