[发明专利]基板处理系统、基板处理方法以及图制作装置在审
申请号: | 202180042634.1 | 申请日: | 2021-06-16 |
公开(公告)号: | CN115699253A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 秋元健司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;G05B19/418 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 方法 以及 制作 装置 | ||
1.一种基板处理系统,具备:
测定装置,其测定由对基板进行第一工序的处理的第一处理装置进行所述第一工序的处理后的所述基板的错误;
搬送装置,其在包括所述第一处理装置、第二处理装置以及所述测定装置的多个装置间搬送所述基板,所述第二处理装置对所述基板进行在所述第一工序后进行的第二工序的处理;
图制作装置,其针对每个所述基板,制作表示所述基板上的所述错误的分布的错误图;以及
评价装置,其针对每个所述基板,基于所述错误图来计算表示错误的重要度的评价值,
其中,所述评价装置根据所述评价值是否为预先决定的第一阈值以上的判定结果,来向所述搬送装置指示被进行了所述第一工序后的所述基板的搬送目的地。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,
所述评价装置在判定为所述评价值为预先决定的第一阈值以上的情况下,向所述搬送装置指示,以不将被进行了所述第一工序后的所述基板向所述第二处理装置搬送,而将该基板废弃。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理系统,其特征在于,
所述图制作装置具有错误量确定部,该错误量确定部针对每个所述基板,对多个配置芯片的所述基板上的区域即芯片区域的各个芯片区域确定表示错误的量的数值即错误量。
4.根据权利要求3所述的基板处理系统,其特征在于,
所述图制作装置具有:
更新部,其针对每个所述基板,对包含错误的所述芯片区域,以该芯片区域的错误量与同该芯片区域邻接的其它芯片区域的错误量的合计值来更新该芯片区域的错误量;以及
制作部,其针对每个所述基板,在所述基板上的多个所述芯片区域中按照错误量从大到小的顺序确定出预先决定的比例的芯片区域,并将确定出的芯片区域的分布制作为错误图。
5.根据权利要求4所述的基板处理系统,其特征在于,
所述更新部对针对每个所述芯片区域确定出的错误量的合计值为预先决定的值以上的基板更新所述芯片区域的错误量。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的基板处理系统,其特征在于,
所述评价装置具有:
劣化等级确定部,其参照对预先决定的多个不同的错误图即基准图的各个基准图关联劣化等级而得到的数据,来针对每个所述基板确定与同由所述图制作装置制作出的错误图的类似度最高的基准图相关联的劣化等级,该劣化等级是表示成为该基准图的分布的错误的原因的劣化程度的数值;以及
评价值计算部,其针对每个所述基板,计算所述劣化等级与所述第一工序的影响度的积作为被进行了所述第一工序的处理后的所述基板的评价值。
7.根据权利要求6所述的基板处理系统,其特征在于,
所述劣化等级确定部参照对预先决定的多个不同的错误图即基准图的各个基准图关联成为该基准图的分布的错误的原因而得到的数据,来针对每个所述基板进一步确定与同由所述图制作装置制作出的错误图的类似度最高的基准图相关联的原因,
所述评价装置具有输出部,所述输出部将由所述劣化等级确定部确定出的原因与所述基板的识别信息相关联地输出。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理系统,其特征在于,
在所述评价值为大于所述第一阈值的第二阈值以上的情况下,所述评价值计算部使所述第一处理装置停止。
9.一种基板处理方法,包括以下工序:
工序(a),针对每个基板,测定由第一处理装置进行第一工序的处理后的所述基板的错误;
工序(b),针对每个所述基板,制作表示所述基板上的所述错误的分布的错误图;
工序(c),针对每个所述基板,基于所述错误图来计算表示错误的重要度的评价值;以及
工序(d),根据所述评价值是否为预先决定的第一阈值以上的判定结果,来决定被进行了所述第一工序后的所述基板的搬送目的地。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造