[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：

形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述堆叠包括其间具有水平伸长的沟槽的横向间隔开的存储器块区，沟道开口在所述存储器块区中延伸穿过所述第一层和所述第二层；

在所述沟道开口中形成沟道材料串的沟道材料，且在所述水平伸长的沟槽中形成所述沟道材料；

从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料，且在所述沟道开口中留下所述沟道材料串的所述沟道材料；以及

在从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料之后，将中间材料形成于所述水平伸长的沟槽中，横向地位于横向紧邻的所述存储器块区之间且纵向沿着横向紧邻的所述存储器块区。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成所述沟道材料之前，在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成电荷传递材料；以及

在从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料之后，从所述水平伸长的沟槽移除所述电荷传递材料且在所述沟道开口中留下所述电荷传递材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成所述沟道材料之前，在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成电荷存储材料；以及

在从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料之后，从所述水平伸长的沟槽移除所述电荷存储材料且在所述沟道开口中留下所述电荷存储材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成所述沟道材料之前，在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成电荷阻挡材料；以及

在从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料之后，从所述水平伸长的沟槽移除所述电荷阻挡材料且在所述沟道开口中留下所述电荷存储材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成所述沟道材料之前，在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成电荷阻挡材料；

在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成所述电荷阻挡材料之后，在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成电荷存储材料；以及

在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成所述电荷存储材料之后，在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中形成电荷传递材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其包括在从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料之后，从所述水平伸长的沟槽移除所述电荷传递材料、所述电荷存储材料和所述电荷阻挡材料，且在所述沟道开口中留下所述电荷传递材料、所述电荷存储材料和所述电荷阻挡材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述在所述沟道开口中形成所述沟道材料以及所述在所述水平伸长的沟槽中形成所述沟道材料同时发生。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料包括在其中蚀刻所述沟道材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其包括同时形成所述水平伸长的沟槽和所述沟道开口。

10.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在所述沟道开口中和所述水平伸长的沟槽中的所述沟道材料顶上形成绝缘体材料；

穿过所述绝缘体材料向所述水平伸长的沟槽形成掩模开口，且保持所述沟道开口被所述绝缘体材料掩蔽；以及

所述移除包括在所述沟道开口中的所述沟道材料被所述绝缘体材料掩蔽的同时穿过所述掩模开口在所述水平伸长的沟槽中蚀刻所述沟道材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述掩模开口个别地具有与所述水平伸长的沟槽中的个别水平伸长的沟槽的水平轮廓形状相同的水平轮廓形状。