[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

说明书

一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的第一层和第二层。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，其间具有水平伸长的沟槽。沟道开口在所述存储器块区中延伸穿过所述第一层和所述第二层。沟道材料串的沟道材料形成于所述沟道开口中，且所述沟道材料形成于所述水平伸长的沟槽中。所述沟道材料从所述水平伸长的沟槽移除，且所述沟道材料串的所述沟道材料留在所述沟道开口中。在从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料之后，中间材料形成于所述水平伸长的沟槽中，横向地位于横向紧邻的所述存储器块区之间且纵向地沿着横向紧邻的所述存储器块区。公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。

技术领域

本文中所公开的实施例涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路系统，并且在计算机系统中用于存储数据。存储器可被制造在个别存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(也可被称作位线、数据线或感测线)和存取线(也可被称作字线)对存储器单元进行写入或读取。感测线可沿着阵列的列使存储器单元以导电方式互连，并且存取线可沿着阵列的行使存储器单元以导电方式互连。可通过感测线和存取线的组合对每一存储器单元进行唯一地寻址。

存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。通常将非易失性存储器指定为具有至少约10年保持时间的存储器。易失性存储器会耗散，且因此刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保持时间。无论如何，存储器单元被配置成以至少两个不同可选状态保持或存储存储器。在二进制系统中，状态被认为是“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可被配置成存储两个以上层级或状态的信息。

场效应晶体管是一种可用于存储器单元中的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述对导电源极/漏极区之间具有半导电沟道区。导电栅极邻近于沟道区且通过薄栅极绝缘体与所述沟道区分开。向栅极施加合适的电压允许电流穿过沟道区从源极/漏极区中的一个区流动到另一个区。当从栅极移除电压时，基本上防止了电流流经沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，可逆向编程电荷存储区，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分。

快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。举例来说，现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用固态硬盘中的快闪存储器来替代常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使得制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且提供针对增强特征远程升级装置的能力。

NAND可以是集成式快闪存储器的基本架构。NAND单元部件包括串联耦合到存储器单元的串联组合的至少一个选择装置(其中所述串联组合通常称为NAND串)。NAND架构可被配置成三维布置，其包括竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元个别地包括可逆向编程竖直晶体管。控制电路系统或其它电路系统可形成于竖直堆叠的存储器单元下方。其它易失性或非易失性存储器阵列架构还可包括个别地包括晶体管的竖直堆叠的存储器单元。

存储器阵列可以存储器页、存储器块和部分块(例如子块)及存储器平面而布置，例如如美国专利申请公开案第2015/0228651号、第2016/0267984号和第2017/0140833号中的任一个中所展示和描述。存储器块可至少部分地限定竖直堆叠的存储器单元的个别字线层中的个别字线的纵向轮廓。到这些字线的连接可在竖直堆叠的存储器单元的阵列的末端或边缘处的所谓的“阶梯梯级结构”中发生。阶梯梯级结构包含个别“阶梯”(或者称为“梯级”或“阶梯梯级”)，其限定个别字线的接触区，竖向延伸的导电通孔接触所述接触区以提供对字线的电存取。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的处理中衬底的一部分的图解横截面图且是穿过图2中的线1-1截取的。

图2是穿过图1中的线2-2截取的图解横截面图。